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公开(公告)号：CN101010635A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029662.0
申请日：2005-08-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027 , C08L83/04
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C08G77/70 , C09D183/04 , G03F7/0757 , G03F7/091 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供一种防反射膜形成用材料，其能加大抗蚀图案和防反射膜的蚀刻率之差。该防反射膜形成用组合物包含(A)含有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物。
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公开(公告)号：CN101155887B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200680011763.X
申请日：2006-03-16
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D7/12 , C09D171/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08K3/10 , C08K3/11 , C08K3/22 , C08L83/04 , C09D7/61 , C09D7/65 , C09D171/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/3122 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 本发明的二氧化硅系被膜形成用组合物，含有硅氧烷聚合物和碱金属化合物。作为该硅氧烷聚合物，优选具有水解性基团的硅烷化合物的水解缩合物。作为上述碱金属化合物的碱金属，可使用钠、锂、钾、铷和铯等。另外，作为上述碱金属化合物，可列举上述碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的等。该二氧化硅系被膜形成用组合物也可以含有空穴形成用材料。作为该空穴形成用材料，可使用选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。
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公开(公告)号：CN101010635B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580029662.0
申请日：2005-08-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027 , C08L83/04
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C08G77/70 , C09D183/04 , G03F7/0757 , G03F7/091 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供一种防反射膜形成用材料，其能加大抗蚀图案和防反射膜的蚀刻率之差。该防反射膜形成用组合物包含(A)含有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物。
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公开(公告)号：CN101155887A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011763.X
申请日：2006-03-16
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D7/12 , C09D171/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08K3/10 , C08K3/11 , C08K3/22 , C08L83/04 , C09D7/61 , C09D7/65 , C09D171/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/3122 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 本发明的二氧化硅系被膜形成用组合物，含有硅氧烷聚合物和碱金属化合物。作为该硅氧烷聚合物，优选具有水解性基团的硅烷化合物的水解缩合物。作为上述碱金属化合物的碱金属，可使用钠、锂、钾、铷和铯等。另外，作为上述碱金属化合物，可列举上述碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的等。该二氧化硅系被膜形成用组合物也可以含有空穴形成用材料。作为该空穴形成用材料，可使用选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。
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公开(公告)号：CN102169296A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110033927.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本发明提供一种光刻用洗涤液、以及一种使用该光刻用洗涤液的配线形成方法，该光刻用洗涤液对ILD材料的防腐效果优异，并且对光刻胶膜以及下层防反射膜的除去性能优异。本发明的光刻用洗涤液含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱。水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇，相对于总量，上述高极性溶剂和乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100382252C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510103745.1
申请日：2005-09-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/312 , C08L83/04
Abstract: 一种二氧化硅系被膜形成用涂布液，含有(A)使烷基三烷氧基硅烷发生水解反应而得到的反应产物或者(A’)使由烷基三烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的硅烷化合物发生水解反应而得到的反应产物、和(B)选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。本发明提供了可以形成介电常数低而且不易发生由剥离液造成的膜减少和介电常数的上升的二氧化硅系被膜的二氧化硅系被膜形成用涂布液。
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公开(公告)号：CN1754930A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510086052.6
申请日：2005-07-19
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅系被膜形成用涂布液，其中含有硅氧烷聚合物和溶剂，所述溶剂中含有正丁醇和3－甲氧基丙酸甲酯。由此，可以得到能够无间隙地掩埋微小的空隙的二氧化硅系被膜形成用涂布液。
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公开(公告)号：CN112143500B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010581674.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法。一种蚀刻液，含有：(A)成分：以通式(A‑1)表示的季铵碱；(C)成分：非离子表面活性剂，(C)成分的HLB值为12以上15以下。式(A‑1)中，R1～R4分别独立地为1价烃基。其中，R1～R4所含的碳原子的合计为10以上。【化1】
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公开(公告)号：CN112143500A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010581674.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法。一种蚀刻液，含有：(A)成分：以通式(A‑1)表示的季铵碱；(C)成分：非离子表面活性剂，(C)成分的HLB值为12以上15以下。式(A‑1)中，R1～R4分别独立地为1价烃基。其中，R1～R4所含的碳原子的合计为10以上。【化1】
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公开(公告)号：CN102169296B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110033927.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本发明提供一种光刻用洗涤液、以及一种使用该光刻用洗涤液的配线形成方法，该光刻用洗涤液对ILD材料的防腐效果优异，并且对光刻胶膜以及下层防反射膜的除去性能优异。本发明的光刻用洗涤液含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱。水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇，相对于总量，上述高极性溶剂和乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。
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