-
公开(公告)号：CN102169296A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110033927.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本发明提供一种光刻用洗涤液、以及一种使用该光刻用洗涤液的配线形成方法，该光刻用洗涤液对ILD材料的防腐效果优异，并且对光刻胶膜以及下层防反射膜的除去性能优异。本发明的光刻用洗涤液含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱。水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇，相对于总量，上述高极性溶剂和乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。
-
公开(公告)号：CN1650235A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809298.0
申请日：2003-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种光致抗蚀剂剥离方法，所述方法包括以下步骤：(I)在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上设置光致抗蚀剂图案，以该光致抗蚀剂图案为掩模，选择性地蚀刻低电介质层的步骤；(II)使经过上述步骤(I)的基板接触臭氧水及/或过氧化氢水的步骤；以及(III)使经过上述步骤(II)的基板接触至少含有季铵氢氧化物的光致抗蚀剂用剥离液的步骤。根据本发明，能够提供一种光致抗蚀剂剥离方法，在双金属镶嵌法等在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上形成微细图案的过程中，即使在不进行O2等离子去胶处理的处理过程中，也能够有效地剥离蚀刻后的光致抗蚀剂膜、蚀刻残渣，而且对低电介质层的介电常数无不良影响，防腐蚀性也优良。
-
公开(公告)号：CN1460894A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03136946.4
申请日：2003-05-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/023 , G03F7/00 , C09D5/00 , C09K3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 公开了一种用于形成防反射膜的涂布液组合物、光刻胶层合体以及光刻胶图案形成方法。所说的用于形成防反射膜的涂布液组合物是用于形成在与ArF准分子激光相对应的正型光刻胶层上层合的防反射膜的涂布液组合物，其中含有(a)水溶性膜形成成分、(b)碳原子数为4以上的全氟烷基羧酸和碳原子数为5以上的全氟烷基磺酸中的至少1种含氟化合物、(c)由(c－1)碳原子数1～4的氟代烷基磺酸、和/或(c－2)1个以上的氢原子被氟代烷基磺酰基取代的碳原子数1～4的烃(烃基中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)构成的酸性化合物。本发明提供一种在使用与ArF准分子激光相对应的光刻胶来形成极微细光刻胶图案的过程中，用于形成图案头部形状的改善效果优良的上层防反射膜的涂布液组合物。
-
公开(公告)号：CN1873543B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610080242.1
申请日：2006-05-12
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D7/5004
Abstract: 本发明公开了由(a)季铵氢氧化物(例如氢氧化四甲基铵等)、(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂(例如丙二醇、乙二醇、二甘醇一丁基醚等)、(c)非胺类水溶性有机溶剂(例如二甲基亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮等)组成的光致抗蚀剂用剥离液。本发明的光致抗蚀剂用剥离液对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，对电极材料无损害，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时对半导体元件的组件(特别是晶片水平芯片尺寸组件(W-CSP))制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂(感光性干膜)的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
-
公开(公告)号：CN1428659A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02141841.1
申请日：2002-08-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02068 , C11D1/62 , C11D7/32 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供这样一种光刻胶用剥离液，其中含有(a)氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化甲基三丙基铵等季铵氢氧化物、(b)水溶性胺、(c)水、(d)防腐蚀剂、以及(e)水溶性有机溶剂，(a)成分与(b)成分的配合比例为(a)成分：(b)成分＝1∶3～1∶10(质量比)。另外还提供使用该剥离液的光刻胶剥离方法。本发明的剥离液对于Al和Cu等金属布线的防腐蚀性、以及对于光刻胶膜和灰化残渣物、金属淀积物的剥离性优良。另外，对于Si类残渣物的剥离性和对于基板(特别是Si基板内面)的防腐蚀性也优良。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1402090A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02128219.6
申请日：2002-08-02
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/02071 , H01L21/31116
Abstract: 含有(a)氢氟酸和不含金属离子的碱形成的盐；(b)水溶性有机溶剂；(c)含有巯基的防腐蚀剂；和(d)水的光刻胶用剥离液，以及使用该剥离液的光刻胶剥离方法。使用氟化铵为(a)成分时，可以再加入(e)氢氟酸和特定的季胺氢氧化物(如氢氧化四甲基铵、氢氧化四丙基铵等)和/或烷醇胺形成的盐。本发明的光刻胶用剥离液对Al、Cu二种金属布线的防腐蚀性优良，且对于光刻胶膜和灰化后的残渣物的剥离性优良，通常不发生防腐蚀剂的析出。
-
公开(公告)号：CN102169296B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110033927.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本发明提供一种光刻用洗涤液、以及一种使用该光刻用洗涤液的配线形成方法，该光刻用洗涤液对ILD材料的防腐效果优异，并且对光刻胶膜以及下层防反射膜的除去性能优异。本发明的光刻用洗涤液含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱。水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇，相对于总量，上述高极性溶剂和乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。
-
公开(公告)号：CN1291281C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量%的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量%的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N-甲基-2-吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量%的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
-
公开(公告)号：CN1501179A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量％的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量％的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N－甲基－2－吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量％的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
-
公开(公告)号：CN1495535A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156579.4
申请日：2003-09-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/31144 , C11D7/32 , C11D11/0047 , H01L21/31138 , H01L21/76807
Abstract: 本发明公开了一种洗涤液，所述洗涤液，是在形成双金属镶嵌结构的过程中，蚀刻层合在具有金属层的基板上的低电介质层(low－k层)，形成第1蚀刻空间，在所述第1蚀刻空间内填充保护层后，再部分地蚀刻低电介质层和保护层，形成连通所述第1蚀刻空间的第2蚀刻空间后，用于除去所述第1蚀刻空间内残存的保护层的洗涤液，所述洗涤液含有(a)1～25质量％的TMAH、胆碱等季铵氢氧化物、(b)30～70质量％的水溶性有机溶剂及(c)20～60质量％的水。本发明的洗涤液具有如下二方面效果，即在设置了金属层(Cu层等)和低电介质层的基板上形成金属配线的过程中，可以很好地除去用于形成双金属镶嵌结构的保护层，而且不造成低电介质层损坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.021 seconds)
