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公开(公告)号:CN101019076A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200580025673.1
申请日:2005-07-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明在浸液曝光工艺中,能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质,且不会增加处理工序数量,可在浸液曝光下形成高分辨率的光刻胶图案。还可应用于更高折射率的浸液介质,通过与这样的高折射率浸液介质一起使用,能进一步提高图案精度。利用含有丙烯酸类树脂的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜,而所述丙烯酸类树脂具有相对于浸渍光刻胶膜的液体尤其是水实质上没有相溶性且可溶于碱的特性。
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公开(公告)号:CN1930523A
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200580006991.3
申请日:2005-03-07
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039
Abstract: 浸液曝光用正型光刻胶组成物及光刻胶图案的形成方法,尤其是对水隔绝性好的具有耐浸液性的浸液曝光用正型光刻胶组成物及采用该光刻胶组成物的光刻胶图案的形成方法。浸液曝光用正型光刻胶组成物包含(A)通过酸的作用而使碱溶性增大的树脂成分和(B)通过曝光产生酸的酸发生剂成分,其特征在于,上述树脂成分(A)至少含有丙烯酸酯构成单元(a1)和具有酸离解性溶解抑制基的(甲基)丙烯酸酯构成单元(a2),上述构成单元(a1)由与上述构成单元(a1)的丙烯酸酯键合的环状基和与该环状基键合的特定结构的氟化有机基形成。
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公开(公告)号:CN101019076B
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200580025673.1
申请日:2005-07-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明在浸液曝光工艺中,能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质,且不会增加处理工序数量,可在浸液曝光下形成高分辨率的光刻胶图案。还可应用于更高折射率的浸液介质,通过与这样的高折射率浸液介质一起使用,能进一步提高图案精度。利用含有丙烯酸类树脂的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜,而所述丙烯酸类树脂具有相对于浸渍光刻胶膜的液体尤其是水实质上没有相溶性且可溶于碱的特性。
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公开(公告)号:CN1946751B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200580012969.X
申请日:2005-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F20/10 , C08F22/00 , C08F36/16 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/2041
Abstract: 一种液浸曝光工艺,特别是通过在光刻曝光光线到达光刻胶膜的通路中,至少在前述光刻胶膜上设置特定厚度的,折射率比空气大并且比前述光刻胶膜小的液体的状态下,进行曝光提高光刻胶图案的分辨率,同时防止使用以水为首的各种浸渍液的液浸曝光中的光刻胶膜的变质和所使用浸渍液的变质,并且没有导致处理工艺步骤的增加,并可以形成使用液浸曝光的高分辨率光刻胶图案。在所使用的光刻胶膜的表面上形成了具有与浸渍光刻胶膜的液体特别是水实质上不相溶,而可溶于碱的特性的保护膜。
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公开(公告)号:CN101019075A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200580025663.8
申请日:2005-07-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明在浸液曝光工艺中,能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质,且不会增加处理工序数,提高光刻胶膜的放置耐性,可形成利用浸液曝光的高分辨率的光刻胶图案。使用至少将可溶于碱的聚合物和交联剂及可溶解它们的溶剂作为构成成分的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜。
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公开(公告)号:CN1946751A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200580012969.X
申请日:2005-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F20/10 , C08F22/00 , C08F36/16 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/2041
Abstract: 一种液浸曝光工艺,特别是通过在光刻曝光光线到达光刻胶膜的通路中,至少在前述光刻胶膜上设置特定厚度的,折射率比空气大并且比前述光刻胶膜小的液体的状态下,进行曝光提高光刻胶图案的分辨率,同时防止使用以水为首的各种浸渍液的液浸曝光中的光刻胶膜的变质和所使用浸渍液的变质,并且没有导致处理工艺步骤的增加,并可以形成使用液浸曝光的高分辨率光刻胶图案。在所使用的光刻胶膜的表面上形成了具有与浸渍光刻胶膜的液体特别是水实质上不相溶,而可溶于碱的特性的保护膜。
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