光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN1520534A

    公开(公告)日:2004-08-11

    申请号:CN02812972.5

    申请日:2002-06-28

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/11 Y10S430/106

    Abstract: 本发明提供一种光刻胶组合物,其包括(A)多羟基苯乙烯,其中至少一部分羟基氢原子被可酸离解的溶解抑制基团取代,并且当可酸离解的溶解抑制基团被酸的作用消除时,多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大,和(B)通过使用放射线照射能够产生酸的组分,其中在使用盐酸的离解试验后,组分(A)的可酸离解的溶解抑制基团的保留率为40%或更小,还提供一种含有多羟基苯乙烯的化学放大型阳性光刻胶组合物,所述代替组分(A)的多羟基苯乙烯中至少一部分羟基氢原子被含有直链或支链烷氧基的低级烷氧基-烷基取代,并且当所述低级烷氧基-烷基被酸的作用消除时,多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大。

    正型光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法

    公开(公告)号:CN1289966C

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200410068341.9

    申请日:2004-08-31

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045

    Abstract: 一种可以在分辨率、LER降低和缺陷水平降低方面得到改进的正型光刻胶组合物及形成光刻胶图案的方法。该组合物和方法提供:一种包含树脂组分(A)的正型光刻胶组合物以及一种使用这种组合物形成光刻胶图案的方法,所述的树脂组分(A)含有由下面所示的通式(1)表示的衍生自(α-甲基)羟基苯乙烯的结构单元(a1)和由下面所示的通式(2)表示的结构单元(a2),其中组分(A)在2.38重量%的TMAH(氢氧化四甲铵)的水溶液中的溶解速率为100至1000/秒:(其中在通式(1)和(2)中,R表示氢原子或甲基)。

    正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法

    公开(公告)号:CN1573550A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410045257.5

    申请日:2004-06-04

    CPC classification number: G03F7/0397

    Abstract: 一种正型抗蚀剂组合物,其中含有通过酸的作用可增大碱溶性的树脂成分(A)、和通过曝光可产生酸的酸产生剂成分(B),其特征在于上述(A)成分中含有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)、和下记通式(I)所示的由(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a2),上述(B)成分中作为主要成分含有重氮甲烷类酸产生剂。根据本发明可以提供一种可改善抗蚀图案侧壁的驻波态的正型抗蚀剂组合物、以及使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀图案的形成方法。

    化学放大正性光致抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:CN1692314B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200380100580.1

    申请日:2003-10-27

    CPC classification number: G03F7/0392

    Abstract: 公开了一种化学放大正性光致抗蚀剂组合物,其对不同类型的抗蚀图形具有极好的灵敏度和图形分辨率,呈高曝光极限和聚焦深度宽容度。必要组分包括(A)能通过与酸反应来增加碱溶解度的树脂和(B)一种产生酸的化合物,成分(A)是第一树脂(a1)和第二树脂(a2)的组合,第一树脂(a1)和第二树脂(a2)各是用酸可离解的、降低溶解度的取代基团部分取代羟基氢原子的羟基苯乙烯基共聚树脂。特征地,除了质均分子量不同,(a1)质均分子量高而(a2)质均分子量低以外,在(a1)树脂中取代基的酸离解性高于在(a2)树脂中的酸离解性如在(a1)的1-乙氧基乙基和(a2)的四氢吡喃基的组合。

    正型抗蚀剂组合物以及其中使用的化合物

    公开(公告)号:CN100510960C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200510074388.0

    申请日:2005-05-26

    Inventor: 新田和行

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045

    Abstract: 一种正型抗蚀剂组合物,其含有具有酸离解性溶解抑制基并且在酸的作用下碱溶性增大的树脂成分(A)、通过曝光产生酸的酸发生剂(B)和用下述通式(1)表示的化合物(C)。(式中,R1和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1-3的烷基、或者碳原子数4-6的环烷基,n是1-3的整数,R1和R3的至少一个是碳原子数4-6的环烷基。R2表示碳原子数1-3的烷基,X表示碳原子数4或者5的亚烷基)。

    光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN100507716C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200510106370.4

    申请日:2002-06-28

    Abstract: 本发明提供一种光刻胶组合物,其包括(A)聚羟基苯乙烯,其中至少一部分羟基氢原子被可酸离解的溶解抑制基团取代,并且当可酸离解的溶解抑制基团被酸的作用消除时,聚羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大,和(B)通过使用放射线照射能够产生酸的组分,其中在使用盐酸的离解试验后,组分(A)的可酸离解的溶解抑制基团的保留率为40%或更小,还提供一种含有聚羟基苯乙烯的化学放大型阳性光刻胶组合物,所述代替组分(A)的聚羟基苯乙烯中至少一部分羟基氢原子被含有直链或支链烷氧基的低级烷氧基-烷基取代,并且当所述低级烷氧基-烷基被酸的作用消除时,聚羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大。

    正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法

    公开(公告)号:CN1310092C

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200410045257.5

    申请日:2004-06-04

    CPC classification number: G03F7/0397

    Abstract: 一种正型抗蚀剂组合物,其中含有通过酸的作用可增大碱溶性的树脂成分(A)、和通过曝光可产生酸的酸产生剂成分(B),其特征在于上述(A)成分中含有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)、和下记通式(I)所示的由(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a2),上述(B)成分中作为主要成分含有重氮甲烷类酸产生剂。根据本发明可以提供一种可改善抗蚀图案侧壁的驻波态的正型抗蚀剂组合物、以及使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀图案的形成方法。

    正型抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法

    公开(公告)号:CN1916763A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200610151829.7

    申请日:2004-06-04

    CPC classification number: G03F7/0397

    Abstract: 一种正型抗蚀剂组合物,其中含有通过酸的作用可增大碱溶性的树脂成分(A)、和通过曝光可产生酸的酸产生剂成分(B),其特征在于上述(A)成分中含有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)、和下记通式(I)所示的由(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a2),上述(B)成分中作为主要成分含有重氮甲烷类酸产生剂。根据本发明可以提供一种可改善抗蚀图案侧壁的驻波态的正型抗蚀剂组合物、以及使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀图案的形成方法。

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