公开(公告)号：CN107210201A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680010408.4

申请日：2016-02-10

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  村濑清一郎 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的，本发明具有以下构成。即，p型杂质扩散组合物，其特征在于，包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，作为所述(C)有机溶剂，含有(C1)环状酯系溶剂。

公开(公告)号：CN108028188A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055017.4

申请日：2016-09-26

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 北田刚 ,  稻叶智雄 ,  池上由洋

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于提供具有优异的向半导体衬底的扩散性和充分的对n型杂质的阻隔性的p型杂质扩散组合物。为了实现上述目的，本发明具有以下的构成。即，p型杂质扩散组合物，其含有(A)聚硅氧烷和(B)具有Si‑O‑B键的p型杂质扩散成分。

公开(公告)号：CN108028188B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201680055017.4

申请日：2016-09-26

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 北田刚 ,  稻叶智雄 ,  池上由洋

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的目的在于提供具有优异的向半导体衬底的扩散性和充分的对n型杂质的阻隔性的p型杂质扩散组合物。为了实现上述目的，本发明具有以下的构成。即，p型杂质扩散组合物，其含有(A)聚硅氧烷和(B)具有Si‑O‑B键的p型杂质扩散成分。

公开(公告)号：CN107210201B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201680010408.4

申请日：2016-02-10

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  村濑清一郎 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的，本发明具有以下构成。即，p型杂质扩散组合物，其特征在于，包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，作为所述(C)有机溶剂，含有(C1)环状酯系溶剂。

公开(公告)号：CN108391449A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201680071206.0

申请日：2016-12-02

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/22 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。提供减少步骤数从而能够高效率地制造半导体元件和太阳能电池的半导体元件、和太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN104364680B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380032881.9

申请日：2013-06-13

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 长濑亮 ,  山田智纪 ,  池上由洋 ,  野中晴支

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514

Abstract: 本发明的目的在于提供一种滤色器，其透射率高且白平衡优异，开口率高且无白斑导致的色偏。本发明提供滤色器，其在透明基板上形成黑矩阵，在上述黑矩阵的开口部上或上述黑矩阵的开口部和上述黑矩阵上形成包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和第四色子像素的像素，上述第四色子像素与其他子像素之间的黑矩阵宽度L1为0～4.5μm，上述子像素各自含有着色剂和树脂，上述第四色子像素的CIE1931表色系三刺激值(Y)为70≤Y≤99。

公开(公告)号：CN108391449B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201680071206.0

申请日：2016-12-02

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/22 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/223

Abstract: 半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。提供减少步骤数从而能够高效率地制造半导体元件和太阳能电池的半导体元件、和太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN104364680A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380032881.9

申请日：2013-06-13

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 长濑亮 ,  山田智纪 ,  池上由洋 ,  野中晴支

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514

Abstract: 本发明的目的在于提供一种滤色器，其透射率高且白平衡优异，开口率高且无白斑导致的色偏。本发明提供滤色器，其在透明基板上形成黑矩阵，在上述黑矩阵的开口部上或上述黑矩阵的开口部和上述黑矩阵上形成包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和第四色子像素的像素，上述第四色子像素与其他子像素之间的黑矩阵宽度L1为0～4.5μm，上述子像素各自含有着色剂和树脂，上述第四色子像素的CIE1931表色系三刺激值(Y)为70≤Y≤99。