公开(公告)号：CN102549761A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080041730.6

申请日：2010-12-09

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 藤森茂雄 ,  北村义之 ,  安腾隆 ,  后藤哲哉

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/288 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过以少的工序数实现高精度的图案涂布、由此能够使背面接合型太阳能电池低成本化的制造方法，具体而言，本发明的半导体器件的制造方法是在半导体衬底的表面上图案形成p型及/或n型区域的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：使蚀刻糊剂、掩蔽糊剂、掺杂糊剂、电极糊剂中的至少1种糊剂从喷嘴的喷出口喷出到上述半导体衬底的表面，在上述半导体衬底与上述喷出口之间形成由上述糊剂形成的珠体，并使上述半导体衬底相对于上述喷嘴相对移动，由此在上述半导体衬底的表面上以条纹状涂布上述糊剂。