公开(公告)号：CN103854991B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN103854991A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C30B33/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN106312795A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610481878.0

申请日：2016-06-27

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 宫下忠一 ,  市川大造 ,  濑下清 ,  大坪正德

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B55/00

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，其能够防止浆液的雾的飞散。研磨装置(10)具备：保持工件(20)的研磨头(18)；在表面上粘贴有研磨垫(16)的定盘(12)；将研磨用的浆液供给到研磨垫上的浆液供给部(24)；浆液接收件(26)，其沿着定盘的外周设置，接收从研磨垫流下的浆液；以及运动机构，其使研磨头(18)和定盘相对运动，特征在于，研磨装置具备成环状的浆液飞散防止用罩(34)，该浆液飞散防止用罩在与研磨垫的外周部上表面之间隔开间隙而覆盖研磨垫的外周部上表面，并且覆盖浆液接收件的上侧开口部，其中，所述间隙是能够使从浆液供给部供给到研磨垫上的浆液在研磨垫上向外侧流动的间隙。