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发明公开
非接触式晶片厚度测定装置审中-实审

公开(公告)号：CN113795725A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080032525.7

申请日：2020-04-09

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 宫川千宏 , 澁谷和孝 , 青木清仁

IPC: G01B11/06 , H01L21/304

Abstract: 具有：单片型波长扫描半导体激光光源(12)，其具有激光源(14)、控制激光源(14)的激光控制单元(16)以及处理器(18)，该处理器(18)构成为利用激光控制单元(16)来控制激光源(14)，以振荡出相对于时间按照设定图谱变化的波长的激光；光学系统(20、22)，其将激光引导并照射到晶片(24)；检测部(26)，其检测反射光的干涉光信号；A/D转换器(28)，其将由检测部(26)检测出的干涉光信号转换成数字信号；以及运算部(30)，其通过分析来自所述A/D转换器(28)的数字信号来计算晶片(24)的厚度，其特征在于，处理器(18)使激光控制单元(16)根据时钟信号进行动作，从激光源(14)振荡出相对于时间按照设定图谱进行波长扫描的激光，A/D转换器(28)与所述时钟信号同步地生成采样时钟或将时钟信号直接用作采样时钟，对干涉光信号进行A/D转换。

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