公开(公告)号：CN119920227A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311427412.9

申请日：2023-10-31

Applicant: 上海飞机制造有限公司

Inventor： 王文琴 ,  孙小峰 ,  余浪 ,  何雪婷 ,  孙晓龙 ,  朱莲萍

IPC: G10K11/172 ,  B64C1/40

Abstract: 本发明属于声学技术领域，公开了一种低频、宽带降噪的声学结构及声学结构的设计方法，该声学结构包括多个声学结构件和内嵌件，多个声学结构件中穿设有至少一个内嵌件，在同一内嵌件上，与内嵌件两端敞口处连通的声学结构件成对设置，并与该内嵌件共同构成第一基元，不与该内嵌件连通的声学结构件为第二基元，第一基元与第二基元并联排布。与现有技术相比，声波通过以成对设置的声学结构件时，其内部产生的耦合共振可使低频范围内某共振频率处的消声频带拓宽，增设的内嵌件可使其产生新的消声频带，而并联基元间存在的弱耦合效应还可继续拓宽消声频带，最终实现低频、更宽带的消声降噪效果。

公开(公告)号：CN119911432A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311426737.5

申请日：2023-10-31

Applicant: 上海飞机制造有限公司

Inventor： 王文琴 ,  孙小峰 ,  孙晓龙 ,  朱莲萍 ,  何雪婷 ,  余浪

IPC: B64F5/10 ,  F02C7/24 ,  F04D29/66 ,  B64D29/00

Abstract: 本发明涉及声学技术领域，尤其涉及一种声衬结构的制造方法及声衬结构。所述声衬结构包括沿声衬结构的厚度方向依次设置的第一面板、内嵌管板、围壁结构和第二面板，内嵌管板与第一面板配合形成若干内嵌管，第二面板为通孔面板，从而使得第一面板、内嵌管板、围壁结构和第二面板配合形成若干声学元件，声学元件具有若干并排设置的亥姆霍兹腔，间隔的亥姆霍兹腔通过内嵌管连通构成一基元，其它通过或未通过内嵌管连通的亥姆霍兹腔构成另一基元，不同的声学元件内的强耦合效应及弱相干耦合效应能够增强声衬结构的消声能力。所述声衬结构及其制造方法能够在声衬结构厚度受限的情况下，实现低频、宽带、高效的消声特性，且制造流程清晰，可操作性强。