14Cr17Ni2钢的锻造工艺参数的优化方法

    公开(公告)号:CN111445960B

    公开(公告)日:2023-02-21

    申请号:CN202010418037.1

    申请日:2020-05-18

    Abstract: 本发明提供了一种14Cr17Ni2钢的锻造工艺参数的优化方法,包括:根据热压缩模拟实验获得的流变数据绘制加工硬化率曲线图,研究实验钢动态再结晶临界应变,直接获得变形工艺条件对临界应变的影响规律,从而更快、更准地得出始锻温度和终锻温度;以真应力真应变曲线数据为基础,通过绘制不同应变下的功率耗散图和不同应变下的流变失稳图建立热加工图,用于确定实验钢在不同应变下的加工安全区和失稳区,效率高,确认温度精度高;得到优化的始锻温度和终锻温度;并且根据优化后的始锻温度和终锻温度对钢进行锻造实验,确定各自的保温时间;最终通过检测微观组织是否符合要求得到锻造工艺的最佳参数,故直接通过观察组织得到锻造质量的肯定。

    一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层的制备方法

    公开(公告)号:CN108336062B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201810086772.X

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 本发明是半导体集成电路技术领域,尤其涉及到一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法。一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层,自下而上依次包括Si基体层、高熵合金中间涂层和Cu膜,所述高熵合金中间涂层自下而上依次包括第三涂层、第二涂层以及第一涂层,所述第一涂层为AlCrTaTiZrMo高熵合金涂层,所述第二涂层为纯Ti涂层,所述第三涂层为AlCrTaTiZrMoNx高熵合金涂层。本发明有利于提高原子的堆积密度,减少空位等缺陷的产生,减少了原子的扩散通道,提高了高熵合金涂层的扩散阻挡性能和热稳定性。

    一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法

    公开(公告)号:CN108336062A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810086772.X

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 本发明是半导体集成电路技术领域,尤其涉及到一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法。一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层,自下而上依次包括Si基体层、高熵合金中间涂层和Cu膜,所述高熵合金中间涂层自下而上依次包括第三涂层、第二涂层以及第一涂层,所述第一涂层为AlCrTaTiZrMo高熵合金涂层,所述第二涂层为纯Ti涂层,所述第三涂层为AlCrTaTiZrMoNx高熵合金涂层。本发明有利于提高原子的堆积密度,减少空位等缺陷的产生,减少了原子的扩散通道,提高了高熵合金涂层的扩散阻挡性能和热稳定性。

    改善铝对氧化铝陶瓷润湿性的方法

    公开(公告)号:CN111302833A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010262321.4

    申请日:2020-04-06

    Abstract: 本发明提供了一种改善铝对氧化铝陶瓷润湿性的方法,其包括:先对氧化铝陶瓷表面进行抛光处理,再放置真空室内;将真空室的背底气压预抽,并将氧化铝陶瓷加热;待氧化铝陶瓷降至室温后,对真空室充入氩气,并保持压强;对氧化铝陶瓷进行磁控溅射时,先采用铝靶由直流阴极控制,得到铝层;在铝层的表面再采用铜靶由射频阴极控制,得到铜层,整个薄膜沉积过程中,氧化铝陶瓷基片不加热也不施加负偏压;本发明通过磁控溅射的方法在氧化铝陶瓷表面沉积铝/铜双层膜,从而改善了铝或铝合金对氧化铝陶瓷的润湿性;利用本发明的方法实现了铝对氧化铝陶瓷的直接润湿,润湿界面处不存在任何反应过渡层,可获得高的界面强度,从而提高复合材料的力学性能。

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