公开(公告)号：CN118734736A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410766212.4

申请日：2024-06-14

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 顾青青 ,  黄欣 ,  刘高洁 ,  娄钦

IPC: G06F30/28 ,  G06F30/25 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/12 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明涉及一种基于格子玻尔兹曼方法的液滴卡断判别方法，基于格子玻尔兹曼方法对微通道中的液滴进行数值模拟，具有模拟精度高、并行性好等优点。在微流控环境中，液滴与周围流体的界面复杂且动态变化，采用的颜色LBM模型能够准确描述这种界面行为，在微尺度上准确捕捉界面张力、剪切力这些力的变化，以及展示流体内部的详细动态信息，包括速度场、压力场、密度场、表面活性剂的分布等信息。通过格子玻尔兹曼仿真得到的剪切应力判断卡断是否发生，一旦卡断发生则精准记录卡断发生的时间步，无需不断细化输出文件的时间步，提高了工作效率，后续可通过调节参数实现对卡断时间的精确控制，采用数值模拟的方法，可大大降低人工干预的成本，提高结果的可靠性和重复性。

公开(公告)号：CN105390909A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510739915.9

申请日：2015-11-04

Applicant: 上海无线电设备研究所 ,  上海理工大学

Inventor： 徐公杰 ,  朱亦鸣 ,  李娜 ,  彭滟 ,  黄欣 ,  王晓冰

IPC: H01S1/02

CPC classification number: H01S1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于具有微纳结构的本征半导体层的太赫兹源及制备方法，该太赫兹辐射源是基于肖特基二极管结构的器件，该器件包括由上至下依次设置的：带有一个毫米级大小的窗口的第一金属电极；透明或半透明的肖特基接触层；具有微纳结构的本征半导体层；缓冲层；衬底、欧姆接触层，及，第二金属电极；该本征半导体层为III-V族高电子迁移率的化合物半导体层；该衬底为N型或P型重掺杂的高电子迁移率的半导体层。本发明的器件结构简单，技术成熟，能够使太赫兹辐射在0.5~3.0 THz 范围内辐射强度提高近10 dB；能够为太赫兹时域光谱技术在爆炸物、毒品及细菌病毒检测、生物活体成像及分析等应用领域提供廉价、高效、可室温工作的太赫兹辐射源。