一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN106898664A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201710026074.6

    申请日:2017-01-13

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/03925 H01L31/09 H01L31/1836

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法,先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料;将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移;将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合;超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液;将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面;沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向,两端镀制金属导电电极;利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料,镀制绝缘氧化物覆盖层,形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构,得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。本发明具有结构简单、体积小、响应快、灵敏度高等特点。

    一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN106898664B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201710026074.6

    申请日:2017-01-13

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法,先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料;将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移;将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合;超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液;将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面;沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向,两端镀制金属导电电极;利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料,镀制绝缘氧化物覆盖层,形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构,得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。本发明具有结构简单、体积小、响应快、灵敏度高等特点。

    半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件的制作和应用

    公开(公告)号:CN107091874A

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201710220410.0

    申请日:2017-04-06

    CPC classification number: Y02P70/521 G01N27/48 G01R27/02 H01L31/18

    Abstract: 本发明涉及一种半导体纳米紫外光探测及气体传感集成器件的制作和应用,采用化学气相沉积方法,在p型Si/SiO2衬底表面中间段合成二维结构ZnO半导体纳米片,沿合成后的ZnO纳米片两端镀制对称Au/Ti金属电极,采用PDMS、PMMA、PVC中任意一种聚合物涂覆金属电极层,利用对紫外和可见光不透明的铝箔遮挡除中间二维结构ZnO半导体纳米片以外的其他部分制成器件。实现对不同环境气氛条件下紫外光信号的稳定探测以及室温条件下对有机物分子的检测,解决半导体紫外光探测器在环境气氛条件下性能不稳定的难题。具有结构简单、响应快、灵敏度高、可在室温下工作等优点。

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