AZO薄膜的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103898466A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410156507.6

    申请日:2014-04-18

    Abstract: 本发明提供一种AZO薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,磁控溅射:在直流磁控溅射设备中,采用掺杂有Al2O3的ZnO陶瓷靶作为阴极溅射靶,采用氩气为工作气体,工作气压为10-2~10-1Pa,使氩气轰击所述阴极溅射靶,进行8~10min预溅射,该预溅射过程结束后,以石英基底作为阳极,使石英基底以3~6r/min的速率自转,用氩气轰击所述阴极溅射靶,进行8min磁控溅射,在石英基底上沉积AZO薄膜;步骤二,刻蚀光栅微结构:在AZO薄膜表面涂一层光刻胶,使用光栅掩膜板覆盖光刻胶表面,对光刻胶进行曝光,用显影液使光刻胶显影,采用氩离子束蚀刻技术在AZO薄膜表面蚀刻光栅槽型。

    制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104004990B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410242295.3

    申请日:2014-06-03

    Abstract: 本发明提供一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:衬底清洗:依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗衬底后放入磁控溅射室样品架上;设置重金属掺杂:取钼丝固定在锌靶上,钼丝分布形状为圆心辐射状,钼掺杂量控制在0.5?10%范围内;抽取真空:将磁控溅射室抽真空;调节溅射气氛:分别以氧气和氩气作为反应气体和溅射气体输入磁控溅射室,氧气纯度为99.99%,氩气纯度在99.95%以上,氧气流量与氩气流量的比值控制在3:2至4:1之间;磁控溅射生长:使用60W的溅射功率,在0.8pa、室温条件下,先对锌靶预溅射5min,然后进行反应溅射生长钼掺杂的氧化锌薄膜。本发明制得的产品与现有的氧化锌薄膜相比具有更好的透过率。

    A轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN103526171B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201310497082.0

    申请日:2013-10-21

    Abstract: 一种A轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜制备方法,包含以下步骤:将石英基底加热至一定温度;在一定的工作气体、工作气压以及真空度下,靶材进行一定时间的预溅射,得到预溅射靶材;将预溅射靶材通过直流磁控在以一定速率自转的石英基底上溅射一段时间以沉积并得到薄膜;将薄膜冷却至室温,得到掺铝氧化锌薄膜,一定时间为8-10分钟,一定速率为3-6转/分,一段时间为25分钟,上述掺铝氧化锌薄膜为a轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜。本发明的制备方法实现了制备AZO薄膜时的a轴和c轴不同择优取向可控制的调谐或转换,且本制备方法还可以在同一基底上通过一定的遮蔽处理在不同区域制备不同生长取向的AZO薄膜,开发其潜在的应用价值。最终得到的AZO薄膜具有优异的性能,尤其在压电效应等领域有着潜在的应用价值。

    择优取向可调谐的掺铝氧化锌薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN103526171A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201310497082.0

    申请日:2013-10-21

    Abstract: 一种择优取向可调谐的掺铝氧化锌薄膜制备方法,包含以下步骤:将石英基底加热至一定温度;在一定的工作气体、工作气压以及真空度下,靶材进行一定时间的预溅射,得到预溅射靶材;将预溅射靶材通过直流磁控在以一定速率自转的石英基底上溅射一段时间以沉积并得到薄膜;将薄膜冷却至室温,得到掺铝氧化锌薄膜,一定时间为8-10分钟,一定速率为3-6转/分,一段时间为5-25分钟。本发明的制备方法实现了制备AZO薄膜时的a轴和c轴不同择优取向可控制的调谐或转换,且本制备方法还可以在同一基底上通过一定的遮蔽处理在不同区域制备不同生长取向的AZO薄膜,开发其潜在的应用价值。最终得到的AZO薄膜具有优异的性能,尤其在压电效应等领域有着潜在的应用价值。

    凹面闪耀光栅的刻划制作方法

    公开(公告)号:CN103439762A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310383125.2

    申请日:2013-08-28

    Abstract: 凹面闪耀光栅的刻划制作方法,包括步骤:提供曲面半径为r的球形凹面基片,将基片固定安装在能够进行横向分度运动的工作台上;提供在竖直方向上能够进行分度运动的刻划机构,刻划机构包含有刻刀。通过刻划机构的竖向分度运动来定位刻刀的竖向分度位置以及工作台的横向分度运动来定位基片的横向分度位置,使刻刀对基片执行预定刻划动作从而在基片上沿其最低凹面点横向两侧分别制得N级均匀分布并具有相同构型的刻槽。本发明将横向分度机制通过移动基片来实现,使横向分度机构与刻划机构分离;同时,通过预先计算精密确定每一级刻槽的横向和竖向位置;从而提高了刻划效率,极大地改善了刻划精度和槽型质量;得到的光栅具有相同法向的槽型。

    凹面闪耀光栅的刻划制作方法

    公开(公告)号:CN103439762B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310383125.2

    申请日:2013-08-28

    Abstract: 凹面闪耀光栅的刻划制作方法,包括步骤:提供曲面半径为r的球形凹面基片,将基片固定安装在能够进行横向分度运动的工作台上;提供在竖直方向上能够进行分度运动的刻划机构,刻划机构包含有刻刀。通过刻划机构的竖向分度运动来定位刻刀的竖向分度位置以及工作台的横向分度运动来定位基片的横向分度位置,使刻刀对基片执行预定刻划动作从而在基片上沿其最低凹面点横向两侧分别制得N级均匀分布并具有相同构型的刻槽。本发明将横向分度机制通过移动基片来实现,使横向分度机构与刻划机构分离;同时,通过预先计算精密确定每一级刻槽的横向和竖向位置;从而提高了刻划效率,极大地改善了刻划精度和槽型质量;得到的光栅具有相同法向的槽型。

    制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104004990A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410242295.3

    申请日:2014-06-03

    Abstract: 本发明提供一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:衬底清洗:依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗衬底后放入磁控溅射室样品架上;设置重金属掺杂:取钼丝固定在锌靶上,钼丝分布形状为圆心辐射状,钼掺杂量控制在0.5-10%范围内;抽取真空:将磁控溅射室抽真空;调节溅射气氛:分别以氧气和氩气作为反应气体和溅射气体输入磁控溅射室,氧气纯度为99.99%,氩气纯度在99.95%以上,氧气流量与氩气流量的比值控制在3:2至4:1之间;磁控溅射生长:使用60W的溅射功率,在0.8pa、室温条件下,先对锌靶预溅射5min,然后进行反应溅射生长钼掺杂的氧化锌薄膜。本发明制得的产品与现有的氧化锌薄膜相比具有更好的透过率。

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