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公开(公告)号：CN117973139A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410198112.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司 , 东南大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种多向层叠状剪切土箱边界效应优化方法及系统，优化方法包括建立多向叠层状剪切土箱的有限元模型；在剪切土箱的有限元模型的底部施加双向载荷，并选取多个目标测点进行计算，以提取目标测点处的加速度时程数据；对比同一深度处各目标测点在双向上的加速度响应差异以对剪切土箱的边界效应定量分析；根据分析结果对剪切土箱的边界效应进行优化。上述优化方法，通过建立多向层叠状剪切土箱的有限元模型，并通过提取目标测点的加速度响应差异以对剪切土箱的边界效应定量分析，依据分析结果对边界效应进行优化，实现了剪切土箱边界效应优化并减少了边界效应对试验台试验结果的影响，更好地模拟实际水平向无限地基条件。
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公开(公告)号：CN102646772A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210145431.8
申请日：2012-05-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/46
Abstract: 本发明公开了一种具有背镀结构的发光二极管，包括p电极、n电极和具有非出光面与出光面的衬底，在衬底的出光面上顺序设有n型GaN层、量子阱、p型GaN层和铟锡氧化物层和钝化层，p电极位于铟锡氧化物层的上表面，n电极位于n型GaN层7的上表面，所述的衬底的非出光面上设置有布拉格反射层，该布拉格反射层由三氧化二铝层和二氧化钛层交替排列组成，且相邻的三氧化二铝层和二氧化钛层之间相互贴覆；三氧化二铝层的折射率小于二氧化钛层的折射率。该结构的发光二极管可以提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN119483031A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411645037.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 江苏大学 , 国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司 , 浙江中新电力工程建设有限公司 , 东南大学
IPC: H02K3/28 , H02K1/2746 , H02K21/14 , H02P21/00 , H02P21/13 , H02P21/22 , H02P25/022 , H02N15/00 , H02K1/278
Abstract: 本发明公开了单绕组磁悬浮永磁同步电机的转矩系统与悬浮系统解耦方法，电机采用悬浮并列式单绕组结构，实现转矩系统对悬浮电流解耦，永磁体采用交替极，实现悬浮系统对转子位置角解耦；针对悬浮系统电流环，将转矩系统对悬浮系统的耦合项看作扰动，设计基于改进超螺旋算法的滑模扰动观测器，对扰动进行观测并补偿，实现悬浮系统与转矩控制的解耦；针对悬浮系统位移/悬浮力环，设计滑模自抗扰控制器，观测转子位移的扰动并对悬浮力进行补偿，实现不同悬浮自由度之间的解耦；将转矩系统余下耦合因素看作系统扰动，运用滑模‑自抗扰的复合控制方法，对扰动进行实时观测及补偿，实现余下耦合因素的解耦。本发明实现了转矩系统与悬浮系统的全面解耦。
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公开(公告)号：CN114910232A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210533335.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种大比尺矩形多向叠层状剪切模型土箱，包括底座、矩形钢管框架叠层、竖向限位板、叠层间滚珠轴承、界限圆环、顶部反压板、外围防护支架以及固定螺栓等零部件，土箱底座由下层钢板、中间矩形钢管加强肋和上层钢板组成，通过螺栓与下部振动台台面连接固定；矩形钢管框架叠层在竖向限位板的约束下沿竖向逐层堆叠拼装，叠层间布有滚珠轴承，滚珠轴承顶部设有固定的界限圆环，使叠层间在一定范围内可沿水平面自由移动；外围防护支架由立柱底座、立柱、横杆及其连接螺栓组成，其中立柱和立柱底座焊接并通过螺栓固定在土箱底座上，横杆两端头穿过立柱顶部螺孔，并通过螺栓拧紧固定；顶部反压板通过横杆施加反力作用在土箱顶部，以限制叠层的竖向位移，本发明应用于室内大型地震模拟振动台模型试验，可较好地模拟水平向无限地基条件。
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公开(公告)号：CN114818433A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210533252.5
申请日：2022-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G06T17/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种刚度可调的振动台剪切土箱三维有限元建模方法，实现该方法的具体步骤为：通过有限元软件分别建立矩形钢管框架叠层及方形截面耗能杆部件，并赋予相应的材料属性；根据土箱原型设计方案将合理分割后的各部件装配成几何模型；创建耗能杆与框架叠层间的接触，对各部件合理设置约束，完成叠层状剪切土箱三维有限元模型的建立；参照箱内试验用土物理力学性质，通过调整框架叠层外围耗能杆的数量、截面面积、刚度及其固定键的布置数量和布置方式等模型参数，可实现土箱有限元模型刚度的按需精确调节。本发明方法可为土箱原型设计优化和加工制造提供参考依据，这对开展深埋地下结构地震模拟振动台试验研究意义重大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151435B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310035913.2
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有复合势垒的氮化镓基发光二级管，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓外延层、多量子阱有源区、p型铝镓氮外延层和p型氮化镓外延层，p型氮化镓外延层上表面设置p型金属电极，n型氮化镓层的下台面上设有n型电极，多量子阱有源区包括5~20个从下至上间隔排列的氮化铟镓势阱层，两相邻氮化铟镓势阱层之间设置有第一类复合势垒层，顶层的氮化铟镓势阱层的上表面设置有第二类复合势垒层，复合势垒中，氮化铝镓铟层与InGaN势阱层接触处，通过调节Al和In的组分减小极化效应产生的内建电场；AlInGaN层与GaN层接触界面上，调节Al与In的比值为0.83:0.17，使二者晶格匹配。
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公开(公告)号：CN103151435A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310035913.2
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有复合势垒的氮化镓基发光二级管，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓外延层、多量子阱有源区、p型铝镓氮外延层和p型氮化镓外延层，p型氮化镓外延层上表面设置p型金属电极，n型氮化镓层的下台面上设有n型电极，多量子阱有源区包括5~20个从下至上间隔排列的氮化铟镓势阱层，两相邻氮化铟镓势阱层之间设置有第一类复合势垒层，顶层的氮化铟镓势阱层的上表面设置有第二类复合势垒层，复合势垒中，氮化铝镓铟层与InGaN势阱层接触处，通过调节Al和In的组分减小极化效应产生的内建电场；AlInGaN层与GaN层接触界面上，调节Al与In的比值为0.83:0.17，使二者晶格匹配。
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公开(公告)号：CN103035797A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210532521.2
申请日：2012-12-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种完全禁带光子晶体结构，包括位于下层的空气孔型光子晶体结构和位于上层的介质柱型光子晶体，空气孔型光子晶体结构和介质柱型光子晶体结构均是由两种或两种以上介电常数的介质材料在平面上呈周期性排列成的阵列，介质柱型光子晶体结构的介质材料对应设置在空气孔型光子晶体结构的介质材料的上表面。本发明还公开了这种光子晶体结构的制备方法，以及一种采用该光子晶体结构的发光二极管。本发明光子晶体结构在LED发光波段实现完全光子禁带特性，极大地提高LED的出光效率，本发明可独立自由调节光子晶体的结构参数，拓展了在LED领域中的应用价值；有效地释放晶格失配所产生的应力，进而获得更高质量的氮化镓基外延薄膜。
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公开(公告)号：CN203536463U
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201320377482.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管，氮化镓基发光二极管的外延层结构由下至上依次为：蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、复合电流扩散层、铟镓氮-氮化镓多量子阱有源发光层、镁掺杂的p型铝镓氮电子阻挡层、镁掺杂的p型氮化镓欧姆接触层和透明导电层；复合电流扩散层由轻度硅掺杂的n型铟镓氮子层和氮化镓子层组成。本实用新型提供的氮化镓基发光二极管及其外延生长方法，采用了复合电流扩散层，能够使得外延片的晶体质量得到显著改善，从而有效地提高氮化镓基发光二极管的抗静电能力；氮化镓基发光二极管的综合性能优异，即不仅拥有高于99%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压。
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公开(公告)号：CN202564429U
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201220211065.7
申请日：2012-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有背镀结构的发光二极管，包括p电极、n电极和具有非出光面与出光面的衬底，在衬底的出光面上顺序设有n型GaN层、量子阱、p型GaN层和铟锡氧化物层和钝化层，p电极位于铟锡氧化物层的上表面，n电极位于n型GaN层7的上表面，所述的衬底的非出光面上设置有布拉格反射层，该布拉格反射层由三氧化二铝层和二氧化钛层交替排列组成，且相邻的三氧化二铝层和二氧化钛层之间相互贴覆；三氧化二铝层的折射率小于二氧化钛层的折射率。该结构的发光二极管可以提高LED的光提取效率。
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