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公开(公告)号：CN108975937A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710399976.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 上海材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷空心浮力球及其制造方法，包括如下步骤：步骤一，成型半球壳素坯(生坯)，对半球壳素坯进行后处理，经第一次烧结得到半球壳烧结体；步骤二，对半球壳的边口进行精密机械加工，以使两个半球壳的边口相互靠近时能够完全接触；步骤三，将精密机械加工后的半球壳进行热等静压处理；步骤四，对热等静压处理后的半球壳的边口进行研磨抛光后，将两个半球壳的边口对接合并成一个球体并抽真空，两个半球壳吸合在一起形成一个空心球体；步骤五，空心球体经第二次烧结合封，出炉后得到完整空心浮力球，对封口接缝处进行包覆处理以减小此处的应力集中。
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公开(公告)号：CN106956008A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710235554.3
申请日：2017-04-12
Applicant: 上海材料研究所
CPC classification number: B22F9/082 , B22F2009/0844 , B33Y70/00 , C22C19/055 , C22C30/00
Abstract: 本发明涉及一种用于3D打印技术的Hastelloy X合金粉末的制备方法，具体包括真空电极感应熔化气雾化技术、超声振动筛分、惰性气体保护气流分级、真空脱气处理等步骤，制备得到适用于3D打印技术的Hastelloy X合金粉末。与现有技术相比，本发明制备的Hastelloy X合金粉末具有低夹杂含量、低含氧量、高球形度等特点，满足不同3D打印技术对粉末材料的性能要求，促进了3D打印技术的应用发展。
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公开(公告)号：CN114044682A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111431519.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , B28B1/00 , B28B11/24 , B28C1/04
Abstract: 本发明提出一种水基浆料凝胶注模成型制备高导热氮化硅陶瓷的方法，将水作为浆料分散的介质，同时采用凝胶注模成型工艺制备高导热氮化硅陶瓷，过程包括首先采用去离子水分散添加了镁化合物和稀土元素化合物作为烧结助剂的高导热氮化硅陶瓷粉料，通过添加稳定不易挥发且碱性较强的试剂来提高浆料pH值到一定程度，以缓解浆料中的镁化合物引起的氮化硅颗粒团聚，来控制浆料粘度在一定范围，通过凝胶注模成型工艺成型陶瓷素坯后，待坯体经干燥、排胶并冷等静压增强后在碳热还原性氛围的石墨加热炉中进行气压烧结，得到高导热氮化硅陶瓷材料。采用该方法制备的高导热氮化硅陶瓷材料性能优越，热导率可达60W·m‑1·K‑1以上，抗弯强度可达800MPa以上。
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公开(公告)号：CN108070100A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611030822.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C08J7/04 , C08J7/00 , C09D163/00
Abstract: 本发明涉及一种纤维协同环氧树脂增强3D打印件的后处理方法，通过向非晶态高分子粉末材料的3D打印件中渗入环氧树脂，再贴附或缠绕纤维，使环氧树脂与纤维有机地结合在一起的后处理方法，制备得到力学性能优异的3D打印件。利用该种发明对非晶态高分子粉末材料的3D打印件进行增强后处理，可大幅度地提高材料的强度、耐磨性等性能，本发明利于推动3D打印技术的广泛应用。
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公开(公告)号：CN104609867B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510082697.6
申请日：2015-02-15
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C04B35/622
Abstract: 本发明涉及材料领域，特别是涉及一种选择性激光烧结陶瓷件的致密方法。本发明公开了一种选择性激光烧结陶瓷件的致密方法，其包括下列步骤：a)选择性激光烧结技术打印陶瓷零件素坯；b)至少2次真空压力浸渍；c)将陶瓷零件素坯加包套后抽真空；d)冷等静压处理；e)排胶处理；f)重复步骤c和d；g)对第二次冷等静压后的陶瓷素坯进行预烧结。h)热等静压后处理。本发明在真空环境下对陶瓷零件素坯进行真空压力浸渍处理，有效增大了陶瓷零件素坯对溶液的吸收率，减少了气孔率；同时通过前后两次冷等静压有效防止零件素坯溃散，进一步提高了零件致密度和强度。冷等静压包套结构简单，使用方便，可重复利用，效率高，消耗低，不用封塑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105315010A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410249492.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件及其制造方法。本发明公开了一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件制造方法，其特征在于将Si3N4烧结体进行HIP处理再进行热处理，也可直接进行热处理，所述热处理方法为将Si3N4烧结体置于真空或N2气氛中在1300～1500℃下保温10～30h。本发明通过热处理方法使得Si3N4烧结体中晶界相进一步被烧结体所含的Sialon相吸收，可以减少Si3N4晶界相含量并促进晶界相结晶从而提高晶界相的强度，且使晶界相与基体材料之间的结合力得到提高，另外，这一方法还可以有效提高Si3N4烧结体的高温性能。
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公开(公告)号：CN104628393A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510082675.X
申请日：2015-02-15
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种高性能陶瓷的制备方法。本发明公开了一种高性能陶瓷的制备方法，其包括下列步骤：a)陶瓷零件件坯制备；b)排胶处理；c)冷等静压处理；d)预烧结处理；e)热等静压包套制作：同步送粉激光熔覆处理，陶瓷零件素坯包覆热等静压包套；f)热等静压烧结；g)去除热等静压包套，精密加工陶瓷零件。本发明综合多种技术，使选择性激光烧结可制造复杂的陶瓷零件素坯，实现了复杂陶瓷零件的近净成形，零件素坯经过后处理提高了致密度，且无需抽真空、封装等步骤，减少了制作工序。该方法工艺简单，周期短，效率高，成本低，制作的陶瓷零件强度高，性能好。
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公开(公告)号：CN104609867A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510082697.6
申请日：2015-02-15
Applicant: 上海材料研究所
IPC: C04B35/622
Abstract: 本发明涉及材料领域，特别是涉及一种选择性激光烧结陶瓷件的致密方法。本发明公开了一种选择性激光烧结陶瓷件的致密方法，其包括下列步骤：a)选择性激光烧结技术打印陶瓷零件素坯；b)至少2次真空压力浸渍；c)将陶瓷零件素坯加包套后抽真空；d)冷等静压处理；e)排胶处理；f)重复步骤c和d；g)对第二次冷等静压后的陶瓷素坯进行预烧结。h)热等静压后处理。本发明在真空环境下对陶瓷零件素坯进行真空压力浸渍处理，有效增大了陶瓷零件素坯对溶液的吸收率，减少了气孔率；同时通过前后两次冷等静压有效防止零件素坯溃散，进一步提高了零件致密度和强度。冷等静压包套结构简单，使用方便，可重复利用，效率高，消耗低，不用封塑。
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公开(公告)号：CN119330723A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411516547.7
申请日：2024-10-29
Applicant: 上海材料研究所有限公司
IPC: C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/596 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域，所述氮化硅陶瓷由纯氮化硅粉制成，经埋粉烧结而得，形成了长棒状晶粒相互搭接的微结构，所述长棒状晶粒由β‑Si3N4组成，所述氮化硅陶瓷的总气孔率为30％～70％，弯曲强度为40～600MPa，线收缩率为0.2％～1％。与现有技术相比，本发明的多孔氮化硅陶瓷无晶界杂相及晶粒发育完善，具有产品收缩小和性能出色等优点。
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公开(公告)号：CN118530030A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410516576.7
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海材料研究所有限公司
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B38/06
Abstract: 本发明涉及一种变孔隙率氮化硅陶瓷构件及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1，凝胶注模成型：制备不同孔隙率的氮化硅陶瓷素坯以及对应的烧结助剂浆料；S2，素坯粘接：将不同孔隙率的氮化硅陶瓷素坯连接并于连接处涂抹烧结助剂浆料形成凝胶薄层，得到变孔隙率氮化硅陶瓷构件前驱体；S3，脱胶烧结：排除变孔隙率氮化硅陶瓷构件前驱体内的有机物后进行烧结得到变孔隙率氮化硅陶瓷构件。与现有技术相比，本发明得到氮化硅陶瓷构件无缺陷、无内应力、无裂纹。
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