支持多种曝光模式的HDR图像传感器像素结构及成像系统

    公开(公告)号:CN108322677A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810172635.8

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种支持多种曝光模式的HDR图像传感器像素结构及成像系统,该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源,其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点;其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点,其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点,另一路通过全局曝光传输单元耦接至复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合,通过两种曝光模式传输单元来转移小面积光电二极管曝光结束后积累的电荷,使得本发明的像素结构可以支持多种曝光模式,并且可实现果冻效应矫正、LED闪烁衰减等特殊功能应用。

    对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统

    公开(公告)号:CN108322676A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810172634.3

    申请日:2018-03-01

    CPC classification number: H04N5/355 H04N5/3537 H04N5/369

    Abstract: 本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统,该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源,其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点;其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点,其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源,另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合,利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息,利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号),从而使得该像素结构不仅能防止过曝,而且能避免LED光源信息丢失,可以将LED信号完整保留。

    具有增益补偿的HDR图像传感器、读出电路及方法

    公开(公告)号:CN109151293A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811302811.1

    申请日:2018-11-02

    Abstract: 本发明提出一种具有增益补偿的HDR图像传感器,其包括像素阵列,控制电路及读出电路。所述控制电路根据控制以顺序读取所述像素阵列输出的低转换增益的复位信号、高转换增益的复位信号、高转换增益的图像信号以及低转换增益的图像信号;所述读出电路包括选择开关,低转换增益模数转换电路和高转换增益模数转换电路,低转换增益模数转换电路用于量化所述像素阵列在低转换增益下输出的复位信号和图像信号;高转换增益模数转换电路用于量化所述像素阵列在高转换增益下输出的复位信号和图像信号。本发明还提出一种具有增益补偿的HDR图像传感器读出电路及实现方法。

    像素电路及图像传感器装置

    公开(公告)号:CN108495064A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810657593.7

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本发明提供一种像素电路,所述像素电路采用多个传输晶体管:高转换增益传输晶体管及一个或多个低转换增益传输晶体管。所述像素电路包括复位晶体管,双转换增益晶体管,电容,高转换增益传输晶体管,低转换增益传输晶体管及输出单元。所述输出单元包括放大晶体管及行选择晶体管。所述像素电路还包括一个防溢出晶体管,对满阱信号进行控制。所述一个或多个低转换增益传输晶体管形成一个或多个传输支路,分别连接到所述光电二极管。所述多个低转换增益传输晶体管可分别连接到多个传输支路,或依次连接于同一传输支路。本发明还提供一种包含上述像素电路的图像传感器装置。

    像素阵列及图像传感器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108462841A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810236872.6

    申请日:2018-03-21

    CPC classification number: H04N5/335 H04N5/2253 H04N5/235 H04N5/374 H04N5/378

    Abstract: 本发明公开了一种像素阵列及图像传感器,所述一种像素阵列包含排成行和列的多个像素单元,每个像素单元包括:多个光电二极管;多个传输晶体管,源极分别连接至各自的光电二极管,漏极共同连接至浮动扩散节点;复位晶体管,连接于固定电源和所述浮动扩散节点之间;读取电路,连接至所述浮动扩散节点。本发明像素单元中的多个光电二极管共用复位电路和读取电路,提高了填充因子,增大了灵敏度和信噪比;在采用上述像素阵列的图像传感器中,通过像素阵列内多个像素单元的组合或像素单元内光电二极管的读取控制,能适当提高图像传感器的动态范围、灵敏度与帧率,同时能满足黑白或彩色多种模式的图像应用需求,增强了该像素阵列的实用性和可移植性。

    具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统

    公开(公告)号:CN108419030A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810173062.0

    申请日:2018-03-01

    CPC classification number: H04N5/3559

    Abstract: 本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统,该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源,其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点;其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点,其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点,另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合,利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息,利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号),从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪,从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。

    支持全局曝光的TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统

    公开(公告)号:CN108322678A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810172637.7

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种支持全局曝光的TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统,该像素结构包括光电二极管、第一读取控制单元、第二读取控制单元;第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括全局曝光传输单元、双转换增益控制单元、复位晶体管及输出单元;其中,复位晶体管的一端耦接至第一电压源,其另一端通过双转换增益控制单元耦接至对应的浮动扩散节点;光电二极管通过全局曝光传输单元耦接至对应的浮动扩散节点;输出单元耦接至对应的浮动扩散节点。该像素结构特别适合于TOF成像系统并且能够支持全局曝光模式。并且由于使用了双转换增益控制单元,使得本发明的像素结构可以支持DCG,从而具有高动态范围特性。

    图像传感器、目标跟踪系统及方法

    公开(公告)号:CN109117830A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811105001.7

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本发明提供一种图像传感器,所述图像传感器包括一跟踪模块,用于根据控制对一个或多个目标ROI进行跟踪。本发明还提供一种目标跟踪系统,所述目标跟踪系统包括所述图像传感器和后端处理单元,所述后端处理单元包括一检测模块和识别模块,所述检测模块通过自动检测模式或自定义模式对图像进行检测分析以检测出一个或多个目标ROI,所述识别模块对所述一个或多个目标ROI进行识别处理。所述图像传感器同时输出两路视频图像信号,一路全景视频画面输入到所述后端处理单元进行检测,另一路输出高分辨率且仅包含一个或多个跟踪目标的视频画面到所述后端处理单元识别处理后输出。本发明还提供一种目标跟踪方法。

    基于拐点的HDR图像传感器像素结构及成像系统

    公开(公告)号:CN108419033A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810172286.X

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于拐点的HDR图像传感器像素结构及成像系统,该像素结构的复位晶体管耦接至浮动扩散节点及第一电压源之间,其光电二极管分别通过滚动曝光传输单元以及全局曝光传输单元耦接至所述浮动扩散节点;所述滚动曝光传输单元可以用于在光电二极管的曝光过程中提供平衡电流以控制满阱电荷量。由于能够使用两种曝光模式传输单元来转移电荷,因而本发明的像素结构可以支持多种曝光模式,并且由于滚动曝光传输单元可用于在光电二极管的曝光过程中提供平衡电流来控制满阱电荷,改变信号传输增益,从而使得本像素结构具有高动态范围特性。

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