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公开(公告)号：CN106145178A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610541024.7
申请日：2016-07-11
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01G3/00
CPC classification number: C01G3/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/10
Abstract: 本发明提供了一种一维硫化物半导体微晶的制备方法，先将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得ACu7S4半导体微晶材料；所述的ACu7S4半导体微晶光电材料用化学式为ACu7S4，其中，A选自Na，K，Cs中的一种。本发明的方法采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN105668624A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201511026863.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01G29/00
CPC classification number: C01G29/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法，该方法首先将含硫化合物、氧化铋或铋盐、强碱和去离子水加入到反应釜中，在温室条件下搅拌，然后放入真空烘箱中加热反应，反应完成取出反应釜，将所得到的产物离心，干燥即得最终产物。该方法的优点在于所用的实验设备简单，操作方便，元素化学计量比精确，所需的原料价格低廉、无毒性，制备的产物具有片状形貌，并且具有良好的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN105417503A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511026900.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B19/00
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种水相法制备CuGaSe2纳米晶的方法。该方法首先将铜盐前驱体、镓盐前驱体、硒代硫酸钠和去离子水加入三口烧瓶中，在惰性气氛中搅拌，然后将温度升高进行反应，反应结束后停止加热使反应物冷却，再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降，最后离心收集纳米晶。本发明的优点在于：实验操作简单，反应前驱体廉价，反应温度较低，得到的纳米晶粒径均一。
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