公开(公告)号：CN111379029A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010337787.6

申请日：2020-04-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 陈捷狮 ,  杨明远 ,  曾志 ,  杨瑾 ,  张泽强 ,  尹志康 ,  孟玄

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/10 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种快速制备NiSn4单晶相的方法，使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220～260℃回流，即可制备得到NiSn4单晶相；所述NiSn4单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm2；所述NiSn4单晶相的形状为大片板状，而不是传统的柱状；所述NiSn4单晶相是沿着 方向生长的化合物，而不是生长方向无序；所述NiSn4单晶相是在界面生成的是扁平状，而不是直立形状。本发明制备的大片的NiSn4单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性。本发明的优点是快速制备，质量可靠，易控制，制备过程受外界环境条件影响小，且制备的NiSn4单晶相厚度可控。

公开(公告)号：CN111379029B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202010337787.6

申请日：2020-04-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 陈捷狮 ,  杨明远 ,  曾志 ,  杨瑾 ,  张泽强 ,  尹志康 ,  孟玄

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/10 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种快速制备NiSn4单晶相的方法，使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220～260℃回流，即可制备得到NiSn4单晶相；所述NiSn4单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm2；所述NiSn4单晶相的形状为大片板状，而不是传统的柱状；所述NiSn4单晶相是沿着 方向生长的化合物，而不是生长方向无序；所述NiSn4单晶相是在界面生成的是扁平状，而不是直立形状。本发明制备的大片的NiSn4单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性。本发明的优点是快速制备，质量可靠，易控制，制备过程受外界环境条件影响小，且制备的NiSn4单晶相厚度可控。

公开(公告)号：CN110899882A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911251370.1

申请日：2019-12-09

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 杨瑾 ,  肖睿 ,  苏佳浩 ,  刘红兵 ,  陈捷狮 ,  于治水 ,  曾志

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  B23K1/20 ,  B23K103/20

Abstract: 本发明公开一种铝钢异种金属激光熔钎填丝焊的工艺，步骤包括：焊接界面处的双相钢和铝合金之间加入钎料，所述钎料表面涂覆有钎剂，在保护气体环境下激光熔钎焊，最终钎焊界面处形成铁-铝-锌相组成的钢/铝接头。本发明利用连续二极管激光熔钎焊方法，采用Zn-Al的钎料，进行铝/钢激光焊。通过调整激光焊接工艺参数，控制焊接热输入，控制中间层的熔化程度；通过添加适当钎料作为填充材料，可将焊缝和界面组织合金化，降低焊缝反应产物的脆性，控制金属间化合物的成分，获得焊缝成型美观、无裂纹、少气孔的焊接接头；本发明方法成本低，操作方便灵活，焊接效率高，获得满足使用要求的钢与铝异种金属焊接接头。