公开(公告)号：CN111379029A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010337787.6

申请日：2020-04-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 陈捷狮 ,  杨明远 ,  曾志 ,  杨瑾 ,  张泽强 ,  尹志康 ,  孟玄

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/10 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种快速制备NiSn4单晶相的方法，使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220～260℃回流，即可制备得到NiSn4单晶相；所述NiSn4单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm2；所述NiSn4单晶相的形状为大片板状，而不是传统的柱状；所述NiSn4单晶相是沿着 方向生长的化合物，而不是生长方向无序；所述NiSn4单晶相是在界面生成的是扁平状，而不是直立形状。本发明制备的大片的NiSn4单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性。本发明的优点是快速制备，质量可靠，易控制，制备过程受外界环境条件影响小，且制备的NiSn4单晶相厚度可控。

公开(公告)号：CN111379029B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202010337787.6

申请日：2020-04-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 陈捷狮 ,  杨明远 ,  曾志 ,  杨瑾 ,  张泽强 ,  尹志康 ,  孟玄

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/10 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种快速制备NiSn4单晶相的方法，使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220～260℃回流，即可制备得到NiSn4单晶相；所述NiSn4单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm2；所述NiSn4单晶相的形状为大片板状，而不是传统的柱状；所述NiSn4单晶相是沿着 方向生长的化合物，而不是生长方向无序；所述NiSn4单晶相是在界面生成的是扁平状，而不是直立形状。本发明制备的大片的NiSn4单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性。本发明的优点是快速制备，质量可靠，易控制，制备过程受外界环境条件影响小，且制备的NiSn4单晶相厚度可控。