一种超薄ZIF-67纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114163652B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202111511020.1

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及超薄二维修饰金属有机框架材料技术领域,尤其是涉及一种超薄ZIF‑67纳米片及其制备方法。本发明采用价格较低的六水合硝酸钴或六水合氯化钴为钴源做框架结构的金属节点,以二甲基咪唑为有机配体做框架的支架,用无水乙醇和N,N‑二甲基甲酰胺为溶剂;在室温条件下反应30分钟后陈化24小时,经离心清洗干燥处理后,得到超薄ZIF‑67纳米片。本发明制备得到的ZIF‑67纳米片呈二维片层结构,其尺寸大小20‑200nm,厚度为5‑10nm。与现有技术相比,本发明具有产品反应温度低,制备工艺简便,成本低廉和可规模化合成,产品本身尺寸更小且更易控制,比表面积更大以及活性位点更多等优点。

    P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用

    公开(公告)号:CN114380324A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111511015.0

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及P型半导体纳米材料制备技术领域,尤其是涉及P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用。本发明采用价格低廉的氯化亚锡作为锡源,以硫化铵水溶液作为硫源,在N2气氛下,绿色环保的形成前体溶液(第一混合溶液),此过程并无有害气体产生,再通过160‑200℃的低温水热反应获得尺寸可控的P型SnS纳米颗粒,颗粒尺寸最大接近100nm;然后利用P型SnS纳米颗粒制备得到P型SnS薄膜,并将P型SnS薄膜作为钙钛矿太阳能电池的无机电子传输层用于制备钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比,本发明可降低材料制作成本,且具有反应时间短、制备工艺简单、导电性好以及工艺流程绿色环保等优点。

    一种基于WS2空穴传输薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN114023881A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111267475.3

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明涉及一种基于WS2空穴传输薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)取钨源溶于乙醇水溶液中,调节pH,然后加入硫源,进行溶剂热反应,得到WS2;(2)将所得WS2分散至无水乙醇中得到WS2胶体溶液,将WS2胶体溶液涂覆在导电基底表面,加热退火,制得WS2空穴传输薄膜;(3)在所得WS2空穴传输薄膜上涂覆钙钛矿前驱体溶液,退火得到钙钛矿活性层,再涂覆电子传输层,最后蒸镀金电极,即得目的产物。与现有技术相比,本发明将WS2纳米材料应用于钙钛矿太阳能电池,制备工艺简单,化学稳定性好,所得WS2薄膜平整致密,具有良好的空穴提取率,将其应用于空穴传输层可降低钙钛矿太阳能电池的成本,且可提高器件的稳定性。

    超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用

    公开(公告)号:CN114380325A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111511019.9

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及n型半导体纳米材料制备技术领域,尤其是涉及超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用。本发明采用价格低廉的四氯化锡作为锡源,以L‑谷胱甘肽作为硫源,在酸性条件下,形成前体溶液(第一混合溶液),再通过120‑200℃的低温水热反应可获得尺寸可控的超薄SnS2纳米片,颗粒尺寸最小约5nm;然后利用超薄SnS2纳米片制备得到SnS2薄膜,并将SnS2薄膜作为钙钛矿太阳能电池的无机电子传输层用于制备钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比,本发明可降低材料制作成本,且具有反应时间短、制备工艺简单、导电性好等优点。

    一种超薄ZIF-67纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114163652A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111511020.1

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及超薄二维修饰金属有机框架材料技术领域,尤其是涉及一种超薄ZIF‑67纳米片及其制备方法。本发明采用价格较低的六水合硝酸钴或六水合氯化钴为钴源做框架结构的金属节点,以二甲基咪唑为有机配体做框架的支架,用无水乙醇和N,N‑二甲基甲酰胺为溶剂;在室温条件下反应30分钟后陈化24小时,经离心清洗干燥处理后,得到超薄ZIF‑67纳米片。本发明制备得到的ZIF‑67纳米片呈二维片层结构,其尺寸大小20‑200nm,厚度为5‑10nm。与现有技术相比,本发明具有产品反应温度低,制备工艺简便,成本低廉和可规模化合成,产品本身尺寸更小且更易控制,比表面积更大以及活性位点更多等优点。

    一种集成式光伏-变色-储能一体化器件及其应用

    公开(公告)号:CN117175041A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310910408.1

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种集成式光伏‑变色‑储能一体化器件及其应用,该一体化器件包括第一导电基底;第二导电基底;钙钛矿太阳能电池;智能变色储能窗口单元,其包括加工在第一导电基底上表面另一端且上部开口的智能变色窗口电池盒、注入所述智能变色窗口电池盒的K+体系电解质溶液、沉积在第二导电基底下表面并对应K+体系电解质溶液位置的电致变色阴极层,以及安装在所述第一导电基底端部并作为阳极材料的金属箔片。与现有技术相比,本发明的器件的能量收集、储存和光调节可以实时改变。对太阳辐射的智能调节有助于提高人们的视觉舒适度,在全天智能窗帘和先进的电子显示器方面具有巨大的应用潜力。

    一种基于P型CuNiO2薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113745410B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202110973213.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明涉及一种基于P型CuNiO2薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:(1)取铜源和镍源溶于无水乙醇中,加入乙醇胺,加热、过滤得到CuNiO2溶胶;(2)将步骤(1)所得CuNiO2溶胶涂覆在导电基底上,并加热退火制得CuNiO2空穴传输层;(3)在步骤(2)中所得CuNiO2空穴传输层的表面涂覆钙钛矿前驱体溶液并退火,然后涂覆电子传输层[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯溶液并退火,镀银,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明首次将新型P型半导体CuNiO2应用于钙钛矿太阳能电池,成本低廉,合成过程简单且可重复性高,制得的CuNiO2薄膜平整致密,具有良好的空穴提取率和稳定性,无机空穴传输层的应用极大的降低了钙钛矿太阳能电池的制作成本并提高了使用寿命。

    一种基于P型CuNiO2薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113745410A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110973213.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明涉及一种基于P型CuNiO2薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:(1)取铜源和镍源溶于无水乙醇中,加入乙醇胺,加热、过滤得到CuNiO2溶胶;(2)将步骤(1)所得CuNiO2溶胶涂覆在导电基底上,并加热退火制得CuNiO2空穴传输层;(3)在步骤(2)中所得CuNiO2空穴传输层的表面涂覆钙钛矿前驱体溶液并退火,然后涂覆电子传输层[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯溶液并退火,镀银,即得到目的产物。与现有技术相比,本发明首次将新型P型半导体CuNiO2应用于钙钛矿太阳能电池,成本低廉,合成过程简单且可重复性高,制得的CuNiO2薄膜平整致密,具有良好的空穴提取率和稳定性,无机空穴传输层的应用极大的降低了钙钛矿太阳能电池的制作成本并提高了使用寿命。

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