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公开(公告)号：CN114380324A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111511015.0
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及P型半导体纳米材料制备技术领域，尤其是涉及P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用。本发明采用价格低廉的氯化亚锡作为锡源，以硫化铵水溶液作为硫源，在N2气氛下，绿色环保的形成前体溶液(第一混合溶液)，此过程并无有害气体产生，再通过160‑200℃的低温水热反应获得尺寸可控的P型SnS纳米颗粒，颗粒尺寸最大接近100nm；然后利用P型SnS纳米颗粒制备得到P型SnS薄膜，并将P型SnS薄膜作为钙钛矿太阳能电池的无机电子传输层用于制备钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比，本发明可降低材料制作成本，且具有反应时间短、制备工艺简单、导电性好以及工艺流程绿色环保等优点。
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