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公开(公告)号:CN118028829A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410162522.5
申请日:2024-02-05
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/042 , C25B1/01 , C01G23/047 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法,首先采用盐酸溶液对TiO2纳米线阵列进行刻蚀,然后对刻蚀后的TiO2纳米线阵列进行退火,最后将退火后的TiO2纳米线阵列在碱性条件下进行电化学还原;经盐酸溶液刻蚀、退火和电化学还原后,TiO2纳米线阵列在0.5M Na2SO4溶液中的光电流密度由0.07mA cm‑2提高至1.5~1.65mA cm‑2。本发明的一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法,所制备的Ti3+(Ov)自掺杂的TiO2纳米线阵列从光吸收范围、微观形貌、元素掺杂等方面改善了TiO2纳米线阵列的光电催化能力,具有良好的光电催化活性。
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公开(公告)号:CN101717558A
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200910199460.0
申请日:2009-11-27
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种无机晶须协同改性的聚酰亚胺/环氧共混物及制备方法,所述共混物包括如下重量份数的组分:环氧树脂100份,聚酰亚胺硅氧烷0~30份,固化剂75~85份,促进剂0~0.3份,硫酸钙晶须2~10份。本发明将硫酸钙晶须作为进一步改性的添加剂,加入聚酰亚胺改性的环氧树脂,由于所述晶须是在人工控制条件下以单晶形式长成的一种纤维,其直径较小,增强的复合材料具有达到高性能的潜力。
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公开(公告)号:CN101717558B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200910199460.0
申请日:2009-11-27
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种无机晶须协同改性的聚酰亚胺/环氧共混物及制备方法,所述共混物包括如下重量份数的组分:环氧树脂100份,聚酰亚胺硅氧烷0~30份,固化剂75~85份,促进剂0~0.3份,硫酸钙晶须2~10份。本发明将硫酸钙晶须作为进一步改性的添加剂,加入聚酰亚胺改性的环氧树脂,由于所述晶须是在人工控制条件下以单晶形式长成的一种纤维,其直径较小,增强的复合材料具有达到高性能的潜力。
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公开(公告)号:CN101914263A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200910195642.0
申请日:2009-09-11
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C08L63/00 , C08L79/08 , C08L83/04 , C08K5/17 , C08K5/1539
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺硅氧烷/环氧树脂共混物及其制备方法,其特征在于,包括如下重量份数的组分:环氧树脂100份,聚酰亚胺硅氧烷20-30份,固化剂75-85份,促进剂0-0.3份。本发明将有机硅氧烷链段引入了共混物中,而且以聚酰亚胺嵌段的形式,使得产物具有优良的热稳定性和力学性能,并且聚酰亚胺的抗冲击性能、耐湿性和表面性能也因硅氧烷的引入而将得到明显的改善。所获得的聚酰亚胺硅氧烷共聚物可应用于半导体材料的防护涂层、电子线路中的绝缘体和电介质、电线电缆挤出涂层、α粒子阻挡层、光敏材料、航空航天的抗原子氧耐辐射层等,具有十分重要的现实意义。
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