一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法

    公开(公告)号:CN118028829A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410162522.5

    申请日:2024-02-05

    Abstract: 本发明涉及一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法,首先采用盐酸溶液对TiO2纳米线阵列进行刻蚀,然后对刻蚀后的TiO2纳米线阵列进行退火,最后将退火后的TiO2纳米线阵列在碱性条件下进行电化学还原;经盐酸溶液刻蚀、退火和电化学还原后,TiO2纳米线阵列在0.5M Na2SO4溶液中的光电流密度由0.07mA cm‑2提高至1.5~1.65mA cm‑2。本发明的一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法,所制备的Ti3+(Ov)自掺杂的TiO2纳米线阵列从光吸收范围、微观形貌、元素掺杂等方面改善了TiO2纳米线阵列的光电催化能力,具有良好的光电催化活性。

    聚酰亚胺硅氧烷/环氧树脂共混物及其制备方法

    公开(公告)号:CN101914263A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200910195642.0

    申请日:2009-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺硅氧烷/环氧树脂共混物及其制备方法,其特征在于,包括如下重量份数的组分:环氧树脂100份,聚酰亚胺硅氧烷20-30份,固化剂75-85份,促进剂0-0.3份。本发明将有机硅氧烷链段引入了共混物中,而且以聚酰亚胺嵌段的形式,使得产物具有优良的热稳定性和力学性能,并且聚酰亚胺的抗冲击性能、耐湿性和表面性能也因硅氧烷的引入而将得到明显的改善。所获得的聚酰亚胺硅氧烷共聚物可应用于半导体材料的防护涂层、电子线路中的绝缘体和电介质、电线电缆挤出涂层、α粒子阻挡层、光敏材料、航空航天的抗原子氧耐辐射层等,具有十分重要的现实意义。

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