公开(公告)号：CN118028829A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410162522.5

申请日：2024-02-05

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 马晓清 ,  丁一博 ,  张晓艳 ,  司继磊

IPC: C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/042 ,  C25B1/01 ,  C01G23/047 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法，首先采用盐酸溶液对TiO2纳米线阵列进行刻蚀，然后对刻蚀后的TiO2纳米线阵列进行退火，最后将退火后的TiO2纳米线阵列在碱性条件下进行电化学还原；经盐酸溶液刻蚀、退火和电化学还原后，TiO2纳米线阵列在0.5M Na2SO4溶液中的光电流密度由0.07mA cm‑2提高至1.5～1.65mA cm‑2。本发明的一种提高TiO2纳米线阵列光电化学性能的方法，所制备的Ti3+(Ov)自掺杂的TiO2纳米线阵列从光吸收范围、微观形貌、元素掺杂等方面改善了TiO2纳米线阵列的光电催化能力，具有良好的光电催化活性。