公开(公告)号：CN114229828A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111407131.8

申请日：2021-11-24

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 吴彬 ,  夏紫薇 ,  何山

IPC: C01B32/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种γ‑石墨单炔的制备方法。本发明通过一步法制得γ‑石墨单炔，方法简便，条件温和；反应温度和时间可控性较强，反应活性位点单一；可通过过量添加丁炔二酸提高产品产率；产物不溶于溶剂，利于反应向正方向移动，产率高；反应后通过简单过滤即可有效分离出产品，操作简便。本发明提供的一种γ‑石墨单炔的制备方法工艺简便，能够在液相中大规模制备，适合于工业化生产；本发明制备得到的γ‑石墨单炔产品纯度高，表面较为平整均匀，可在空气中稳定地存在，易于保藏，制备的γ‑石墨单炔在催化、半导体、电子、能源、环境等方面具有强大的应用潜力。

公开(公告)号：CN114229828B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202111407131.8

申请日：2021-11-24

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 吴彬 ,  夏紫薇 ,  何山

IPC: C01B32/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种γ‑石墨单炔的制备方法。本发明通过一步法制得γ‑石墨单炔，方法简便，条件温和；反应温度和时间可控性较强，反应活性位点单一；可通过过量添加丁炔二酸提高产品产率；产物不溶于溶剂，利于反应向正方向移动，产率高；反应后通过简单过滤即可有效分离出产品，操作简便。本发明提供的一种γ‑石墨单炔的制备方法工艺简便，能够在液相中大规模制备，适合于工业化生产；本发明制备得到的γ‑石墨单炔产品纯度高，表面较为平整均匀，可在空气中稳定地存在，易于保藏，制备的γ‑石墨单炔在催化、半导体、电子、能源、环境等方面具有强大的应用潜力。