一种低温烧结纯质多孔碳化硅陶瓷支撑体及其制备方法

    公开(公告)号:CN118026718A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410176849.8

    申请日:2024-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种低温烧结纯质多孔碳化硅陶瓷支撑体及其制备方法,所述制备方法包括:a)复合粉料制备:先将碳化硅前驱体溶于有机溶剂中,再加入碳化硅颗粒并充分混合分散,然后在加热条件下持续搅拌至有机溶剂挥发,将所得产物烘干、研磨,得到复合粉体;再将复合粉体与球磨介质、碳化硅研磨小球共同置于球磨机的球磨罐中进行球磨,然后将球磨得到的浆料烘干、研磨,得到复合粉料;其中,碳化硅前驱体的质量为碳化硅颗粒的质量的0.5~20%;b)模压成型;c)烧结。本发明制备的碳化硅陶瓷支撑体由纯质碳化硅相组成,具有机械强度高、致密性好、耐酸碱腐蚀性好、孔径可控、孔径分布均匀等优点,可应用于微滤或超滤领域的分离与纯化。

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