公开(公告)号：CN106810235A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710058595.X

申请日：2017-01-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈建国 ,  屠庭龙 ,  程晋荣 ,  韦建新 ,  蹇婕

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅‑钛酸钡三元体系高温压电陶瓷及其制备方法，利用固相反应法制备了BF‑PT‑BT高温压电陶瓷，在BF‑PT固溶体中通过引入第三元组分BT显著提高了BF‑PT材料的绝缘性能，同时具有很高的压电常数，达到195 pC/N，并具有高的居里温度，达到547℃，并且其压电性能在温度低于490℃时都能保持相对稳定的状态。与商用铋层状结构的压电材料相比，居里温度接近，压电系数是其5倍。

公开(公告)号：CN111892394A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010789037.2

申请日：2020-08-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 关皓文 ,  陈奕璇 ,  蹇婕

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01F1/03

Abstract: 本申请涉及一种新型三元系多铁性陶瓷及其制备方法，利用固相反应法制备了一种化学通式为(0.57-x)Bi0.8La0.2FeO3-0.43PbTiO3-xGaFeO3的三元系多铁性陶瓷，第三组元GaFeO3的含量x＝0，0.04和0.06。本申请中的多铁性陶瓷在保持良好铁电性的同时，铁磁性得到了显著提高。该陶瓷的最佳组分在室温条件下剩余极化值和剩余磁化值分别达到了38μC/cm2和0.66emu/g。本申请通过引入兼具压电性和铁磁性的GaFeO3作为第三组元对BLF-PT陶瓷进行改性，制备出了兼具优异电学和磁学性能的BLF-PT-GF三元系多铁性陶瓷，使铁酸铋-钛酸铅基陶瓷在多铁性材料研究领域的应用化迈出了很大的一步。

公开(公告)号：CN111826639A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010706153.3

申请日：2020-07-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王浩 ,  翟健 ,  陆文慧 ,  蹇婕

IPC: C23C18/12

Abstract: 本申请涉及一种掺杂Sr的铁电薄膜及其制备方法。其中，掺杂Sr的铁电薄膜的制备方法包括如下步骤：LaNiO3(LNO)溶胶制备:采用溶胶凝胶法，制备出0.1mol/L的LaNiO3溶胶；BF-PST溶胶制备:采用溶胶凝胶法，制备出0.4mol/L的BF-PST溶胶；LNO缓冲层的制备：采用旋涂法，使用匀胶机将LNO溶胶旋涂在热处理后的不锈钢衬底上，之后把薄膜置于马弗炉内热处理，得到LNO薄膜；BF-PST薄膜的制备：采用旋涂法，使用匀胶机将BF-PST溶胶旋涂在热处理后的不锈钢衬底上，之后把薄膜置于马弗炉内热处理，得到BF-PST薄膜；所述BF-PST薄膜的化学式为0.7BiFeO3-0.3Pb1-xSrxTiO3。与传统BF-PT薄膜相比，所制得的BF-PST薄膜晶化程度更高。