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公开(公告)号：CN103046114A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210407642.4
申请日：2012-10-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种超大Seebeck系数FeSb2单晶的制备方法，制备过程为：以高纯的金属Fe与Sb的粉末为原料，按照Fe：Sb在1.1：8.0~1.2：9.0范围内的摩尔比配比，充分研磨后密封于石英管中，再置于垂直炉中进行生长。该方法的特点是石英管的底部为圆锥形（角度范围在25~35度），使用此类石英管的优势在于能够减少晶核形成，提高结晶效率。制得的单晶样品显现出良好的表面光洁度、致密度、均匀性。单晶粉末、单晶块材的X射线衍射图，及其劳厄衍射图可充分证实所制备的FeSb2晶体是单相的、完整的。由于此方法只需要有一个恒温区和下端梯度温区即可实现，因此具有设备简单、成本低，生长效率高的特点。
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公开(公告)号：CN102011188B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010577520.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及稀土正铁氧体（RFeO3）光磁功能晶体生长研究领域，光学浮区二次熔融法是此类材料在现阶段比较可行的一种全新的、高效的生长方法。它以高纯度的氧化铁、稀土氧化物为原料按照化学配比经过研磨、烧结、等静压等工艺流程得到料棒，再将其置于光学浮区炉中，在空气气氛中进行生长。经过本方法所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想，其特征峰明显增强，半高宽（FWHM）明显减小，从而显著提高晶体结晶质量，更容易得到纯相的完整RFeO3晶体；同时，此方法的效率很高，生长速度可以根据不同的应用目的在1－9mm/h范围内适当调节，这是提拉法、水热法、下降法、等传统方法无法达到的。
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公开(公告)号：CN101266859A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810032408.1
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01F1/10 , H01F1/113 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子烧结设备(SPS)低温快速烧结微晶铁氧体磁芯器件的方法，属磁性铁氧体器件制备工艺技术领域。本发明方法采用硝酸盐－柠檬酸溶胶凝胶法制得锰锌铁氧体磁性粉体；其晶粒尺寸为20～60nm；所用硝酸盐以其金属氧化物的摩尔百分比来表示，它们为：Fe2O352～55mol％，MnO 34～40mol％，ZnO 6～11％；柠檬酸与硝酸盐总量的摩尔比为1∶1。将上述粉体再经900～1350℃烧结，抽真空保温1～5小时，之后随炉降温冷却，得到微米颗粒的粉体；然后进行PVA上胶、搅拌、造粒、压制，成型为坯件；然后将一定形状的坯件放在等离子烧结设备内进行真空加压烧结；最终制得一定形状的微晶锰锌铁氧体磁芯器件。经测试，该器件具有磁导率为104、截止频率为12MHz，属高频铁氧体软磁材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103993348A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193630.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。
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公开(公告)号：CN101481243B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910046494.6
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01F1/10
Abstract: 本发明是一种纳米晶MnZn铁氧体颗粒直接制备高频低功耗材料的制备方法，属于铁氧体磁性材料制备技术领域。操作步骤如下：第一步，纳米晶MnZn粉体制备；第二步，压制成环形素坯；第三步，烧结成产品。把第二步压制的素坯放入真空炉中，在保温和降温的过程中采用平衡氧分压保护，最后自然冷却至室温，便可得到高频低功耗MnZn铁氧体。制备关键在于升温过程的快升温与慢升温的结合，有利于气孔的排除和致密化，并且在慢升温和保温过程中使晶粒大小均匀。本工艺利用溶胶凝胶自燃法制备纳米晶MnZn粉体直接烧结，无需预烧再球磨工艺，周期短，工艺相对简单，从而能降低能耗节约劳动成本。并且溶胶凝胶法制备纳米晶MnZn粉体颗粒均匀、活性大、成分均匀不偏析，成品率高。
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公开(公告)号：CN102011188A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010577520.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及稀土正铁氧体（RFeO3）光磁功能晶体生长研究领域，光学浮区二次熔融法是此类材料在现阶段比较可行的一种全新的、高效的生长方法。它以高纯度的氧化铁、稀土氧化物为原料按照化学配比经过研磨、烧结、等静压等工艺流程得到料棒，再将其置于光学浮区炉中，在空气气氛中进行生长。经过本方法所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想，其特征峰明显增强，半高宽（FWHM）明显减小，从而显著提高晶体结晶质量，更容易得到纯相的完整RFeO3晶体；同时，此方法的效率很高，生长速度可以根据不同的应用目的在1－9mm/h范围内适当调节，这是提拉法、水热法、下降法、等传统方法无法达到的。
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公开(公告)号：CN103993348B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410193630.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。
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公开(公告)号：CN101481243A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910046494.6
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/38 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种纳米晶MnZn铁氧体颗粒直接制备高频低功耗材料的制备方法，属于铁氧体磁性材料制备技术领域。操作步骤如下：第一步，纳米晶MnZn粉体制备；第二步，压制成环形素坯；第三步，烧结成产品。把第二步压制的素坯放入真空炉中，在保温和降温的过程中采用平衡氧分压保护，最后自然冷却至室温，便可得到高频低功耗MnZn铁氧体。制备关键在于升温过程的快升温与慢升温的结合，有利于气孔的排除和致密化，并且在慢升温和保温过程中使晶粒大小均匀。本工艺利用溶胶凝胶自燃法制备纳米晶MnZn粉体直接烧结，无需预烧再球磨工艺，周期短，工艺相对简单，从而能降低能耗节约劳动成本。并且溶胶凝胶法制备纳米晶MnZn粉体颗粒均匀、活性大、成分均匀不偏析，成品率高。
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