公开(公告)号：CN105332057A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510659844.1

申请日：2015-10-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹义明 ,  曹世勋 ,  向茂林 ,  康保娟 ,  张金仓

IPC: C30B29/30 ,  C30B13/00

CPC classification number: C30B29/30 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种采用一步法直接生长磁电材料Mn4Nb2O9单晶的方法，其步骤为：初始原料采用纯度为3N以上的MnCO3与Nb2O5按摩尔比4:1制备料棒即上棒和下棒；置于高温炉内在900℃、在Ar气保护下烧结12h，随炉自然降至室温；得到的料棒在光学浮区炉生长单晶。该方法的特点是所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想；本发明Mn4Nb2O9在料棒预合成过程中得到的是MnNb2O6和Mn3O4的混合相，采用该混合相的料棒和籽晶在Ar气保护下生长，一步直接获得了纯相的Mn4Nb2O9单晶。制得的大尺寸单晶将为后续的基础研究和器件应用提供技术基础。

公开(公告)号：CN103046114A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210407642.4

申请日：2012-10-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹义明 ,  袁淑娟 ,  曹世勋 ,  张金仓

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明涉及一种超大Seebeck系数FeSb2单晶的制备方法，制备过程为：以高纯的金属Fe与Sb的粉末为原料，按照Fe：Sb在1.1：8.0~1.2：9.0范围内的摩尔比配比，充分研磨后密封于石英管中，再置于垂直炉中进行生长。该方法的特点是石英管的底部为圆锥形（角度范围在25~35度），使用此类石英管的优势在于能够减少晶核形成，提高结晶效率。制得的单晶样品显现出良好的表面光洁度、致密度、均匀性。单晶粉末、单晶块材的X射线衍射图，及其劳厄衍射图可充分证实所制备的FeSb2晶体是单相的、完整的。由于此方法只需要有一个恒温区和下端梯度温区即可实现，因此具有设备简单、成本低，生长效率高的特点。

公开(公告)号：CN105332057B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510659844.1

申请日：2015-10-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹义明 ,  曹世勋 ,  向茂林 ,  康保娟 ,  张金仓

IPC: C30B29/30 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种采用一步法直接生长磁电材料Mn4Nb2O9单晶的方法，其步骤为：初始原料采用纯度为3N以上的MnCO3与Nb2O5按摩尔比4:1制备料棒即上棒和下棒；置于高温炉内在900℃、在Ar气保护下烧结12 h，随炉自然降至室温；得到的料棒在光学浮区炉生长单晶。该方法的特点是所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想；本发明Mn4Nb2O9在料棒预合成过程中得到的是MnNb2O6和Mn3O4的混合相，采用该混合相的料棒和籽晶在Ar气保护下生长，一步直接获得了纯相的Mn4Nb2O9单晶。制得的大尺寸单晶将为后续的基础研究和器件应用提供技术基础。

公开(公告)号：CN104931808A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410738599.9

申请日：2014-12-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹义明 ,  康保娟 ,  冯振杰 ,  崔晓鹏 ,  张金仓 ,  曹世勋

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料热释电性能的系统。它包括一个综合物性测量系统（PPMS）、一个静电计(KEITHLEY 6517B)、一个微机终端和一个开关部分。开关部分包括两个双刀双掷继电器、一个单片机（STC89C52）、一个L293D四倍高电流H桥驱动、一个9V直流开关电源。先将调试好的单片机程序烧录到单片机中，微机终端则可通过单片机控制L293D四倍高电流H桥驱动来控制继电器的吸合，从而实现在测试、加电压极化、以及短路放电不同操作之间任意切换。本发明能够克服在放电和测试的时候手动接线，整个测试过程完全自动化。

公开(公告)号：CN104389013A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410564833.0

申请日：2014-10-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹世勋 ,  赵伟尧 ,  曹义明 ,  许凯 ,  向茂林 ,  张金仓

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/24

Abstract: 本发明涉及一种超大稀土正铁氧体光磁功能晶体生长方法，属光磁功能晶体技术领域。本发明的制备过程为：以高纯的R2O3和Fe2O3为原料，分别将Sm2O3、Tb2O3与Fe2O3按摩尔比1:1:2以及Pr6O11和Fe2O3按摩尔比1:3配比称重，在空气中烧结制备多晶料棒。得到的原料棒需经过接近熔点的高温预处理，再置于浮区炉中生长。该方法的特点是上棒下端呈倒圆锥状，有利于对接和扩径，但在扩径的同时要升高功率并同时调节气流以确保熔区熔化均匀，后期稳定生长选取最佳生长功率即可，该方法制备的晶体尺寸为直径超过18mm、长度大于25mm，该直径尺寸已经突破了光学浮区炉的设计极限：15mm。制得的大尺寸单晶将为后续的器件应用提供技术基础。