公开(公告)号：CN111653662A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010417769.9

申请日：2020-05-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 骆军 ,  程世文 ,  吴立华 ,  张继业 ,  王晨阳

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为Ge0.90-xTixSb0.10Te，其中x的取值范围为0≤x≤0.03。本发明还提供一种所述伪立方相结构GeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素，并控制其含量，使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变，有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅，在室温下存在稳定的伪立方相结构，具有较低的热导率，并在工作温度范围内有良好的热电性能，具有优异的应用前景。

公开(公告)号：CN111653662B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010417769.9

申请日：2020-05-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 骆军 ,  程世文 ,  吴立华 ,  张继业 ,  王晨阳

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为Ge0.90‑xTixSb0.10Te，其中x的取值范围为0≤x≤0.03。本发明还提供一种所述伪立方相结构GeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素，并控制其含量，使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变，有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅，在室温下存在稳定的伪立方相结构，具有较低的热导率，并在工作温度范围内有良好的热电性能，具有优异的应用前景。