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公开(公告)号：CN111653662A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010417769.9
申请日：2020-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为Ge0.90-xTixSb0.10Te，其中x的取值范围为0≤x≤0.03。本发明还提供一种所述伪立方相结构GeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素，并控制其含量，使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变，有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅，在室温下存在稳定的伪立方相结构，具有较低的热导率，并在工作温度范围内有良好的热电性能，具有优异的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105842276A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610188029.6
申请日：2016-03-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种基于连续成分块材的高通量热电性能表征方法及其应用，利用一个连续成分块体作为材料数据库，分别利用电导率?塞贝克系数扫描探针显微镜和快速热成像技术，获得电学和热学性能的空间分布数据和图像，继而经过计算机处理得到热电优值的空间分布数据和图像，实现高性能热电材料的快速筛选。该技术有望数十倍甚至上百倍地缩热电料的研发周期。
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公开(公告)号：CN111653662B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010417769.9
申请日：2020-05-18
Applicant: 上海大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为Ge0.90‑xTixSb0.10Te，其中x的取值范围为0≤x≤0.03。本发明还提供一种所述伪立方相结构GeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素，并控制其含量，使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变，有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅，在室温下存在稳定的伪立方相结构，具有较低的热导率，并在工作温度范围内有良好的热电性能，具有优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN105891243A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610188226.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/223 , G01N1/28
CPC classification number: G01N23/20 , G01N1/286 , G01N23/223
Abstract: 本发明公开了一种二维连续成分样品、其制备方法及其在相图高通量快速测定中的应用，本发明二维连续成分样品为一个等边三角型薄片，其成分分布与等边三角形表示的三元相图的成分分布一致。该二维连续成分样品，可以通过固相反应法、3d打印法以及泥浆或悬浊液混合法这三种方法制备，并通过适当温度退火或淬火以满足相图测定及材料筛选的应用。该发明能够大幅提高单次合成的不同成分样品的数量，为高通量材料筛选及三元相图快速测定提供更大通量的样品支持。
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公开(公告)号：CN105891243B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610188226.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/223 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种二维连续成分样品、其制备方法及其在相图高通量快速测定中的应用，本发明二维连续成分样品为一个等边三角型薄片，其成分分布与等边三角形表示的三元相图的成分分布一致。该二维连续成分样品，可以通过固相反应法、3d打印法以及泥浆或悬浊液混合法这三种方法制备，并通过适当温度退火或淬火以满足相图测定及材料筛选的应用。该发明能够大幅提高单次合成的不同成分样品的数量，为高通量材料筛选及三元相图快速测定提供更大通量的样品支持。
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