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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104259410B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410444492.3
申请日：2014-09-03
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/06 , B22D11/115
Abstract: 本发明公开了一种连续制备高硅钢片的方法和连铸装置，将纯铁粉和硅粉以一定质量百分比放入熔池中进行合金熔配，整个过程中熔池都处在磁轭线圈产生的强磁场区域中，待合金熔化并混合均匀后，通过上方高速旋转的带齿的水冷铜盘实现快速冷却形成高硅钢薄带，并通过斜上方处气刀将薄片吹开并从铜盘上可靠剥离，从而达到直接提取法制备高硅钢片的目的，从铜盘上剥离出来的高硅钢片将进入下面配置有软垫或气垫的收集室中。通过控制水冷铜盘齿面与合金熔体的浸入深度、水冷铜盘的冷却水流量、水冷铜盘的旋转速度以及外加强静磁场的磁场强度，可以控制硅钢片的厚度和内部及表面质量。通过控制水冷铜盘齿面尺寸来控制高硅钢片的宽度和长度。
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公开(公告)号：CN104259410A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410444492.3
申请日：2014-09-03
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/06 , B22D11/115
CPC classification number: B22D11/06 , B22D11/115
Abstract: 本发明公开了一种连续制备高硅钢片的方法和连铸装置，将纯铁粉和硅粉以一定质量百分比放入熔池中进行合金熔配，整个过程中熔池都处在磁轭线圈产生的强磁场区域中，待合金熔化并混合均匀后，通过上方高速旋转的带齿的水冷铜盘实现快速冷却形成高硅钢薄带，并通过斜上方处气刀将薄片吹开并从铜盘上可靠剥离，从而达到直接提取法制备高硅钢片的目的，从铜盘上剥离出来的高硅钢片将进入下面配置有软垫或气垫的收集室中。通过控制水冷铜盘齿面与合金熔体的浸入深度、水冷铜盘的冷却水流量、水冷铜盘的旋转速度以及外加强静磁场的磁场强度，可以控制硅钢片的厚度和内部及表面质量。通过控制水冷铜盘齿面尺寸来控制高硅钢片的宽度和长度。
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公开(公告)号：CN105002460B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510249137.5
申请日：2015-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种电流复合扩散法连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置，应用于硅钢制备工艺技术领域。本发明将预先制备好的待处理硅钢基带放入真空热处理炉中并通过外部电源对基带施加一定电流密度的直流电流或脉冲电流，然后使薄带处于适当的温度条件下进行适当时间的热处理扩散。电流对扩散的影响机制可以解释为，在“电子风”的作用下，薄带合金晶体内部的热平衡空位浓度升高，且大量电子的迁移促进了晶体内部的位错、晶界等缺陷的移动和聚集，这都为原子的扩散提供了“快速通道”，加速了Fe原子和Si原子的互扩散过程。本发明和普通的高硅钢制备方法相比，能节省薄带扩散均匀化的时间，降低了工艺过程中的能耗，从而降低了高硅钢制备的成本。
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公开(公告)号：CN102925937B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210327475.2
申请日：2012-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明旨在提供一种连续制备高硅钢薄带的方法和装置。本方法采用复合电镀方法,在镀铁溶液中加入0.1～3μm的硅铁合金粉末,以低硅钢带作为电解阴极,在复合电解液中被镀上7.0Wt%～99wt％Si的厚复合镀层,经热处理后得到均匀的6.5wt%Si的高硅钢薄带，可以实现连续制备。本装置是在传统的复合电镀装置基础上,通过施加磁场强度为0.001～20T的恒定磁场,通过磁场使作为阴极的低硅钢薄带磁化，并在表面形成很强的梯度场，利用磁场力将镀液中的硅铁合金颗粒吸附在低硅钢带阴极表面，进而通过复合镀铁过程获得高硅镀层,然后经后续的气氛保护热处理，就可以制备出硅含量达6.5wt%的高性能高硅钢薄带。本发明操作简单,低温增硅操作，成本低廉，并且可以连续制备高硅钢带材。
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公开(公告)号：CN105002460A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510249137.5
申请日：2015-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种电流复合扩散法连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置，应用于硅钢制备工艺技术领域。本发明将预先制备好的待处理硅钢基带放入真空热处理炉中并通过外部电源对基带施加一定电流密度的直流电流或脉冲电流，然后使薄带处于适当的温度条件下进行适当时间的热处理扩散。电流对扩散的影响机制可以解释为，在“电子风”的作用下，薄带合金晶体内部的热平衡空位浓度升高，且大量电子的迁移促进了晶体内部的位错、晶界等缺陷的移动和聚集，这都为原子的扩散提供了“快速通道”，加速了Fe原子和Si原子的互扩散过程。本发明和普通的高硅钢制备方法相比，能节省薄带扩散均匀化的时间，降低了工艺过程中的能耗，从而降低了高硅钢制备的成本。
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