SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109680314B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910142133.5

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法,沉积温度为10~18℃,湿度不高于50%。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中,搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐,继续搅拌并加入酸调节溶液pH,使溶液澄清;再加入碱调节溶液pH至1.5,得到前驱体溶液;然后以FTO为工作电极,铂丝作为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在前驱体溶液中沉积,沉积过程中溶液进行间歇性搅拌,沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干,控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步,所用前驱体材料成本低廉,制备薄膜有利于提高其光电特性。

    SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109680314A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201910142133.5

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法,沉积温度为10~18℃,湿度不高于50%。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中,搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐,继续搅拌并加入酸调节溶液pH,使溶液澄清;再加入碱调节溶液pH至1.5,得到前驱体溶液;然后以FTO为工作电极,铂丝作为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在前驱体溶液中沉积,沉积过程中溶液进行间歇性搅拌,沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干,控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步,所用前驱体材料成本低廉,制备薄膜有利于提高其光电特性。

    一种超像素扫描设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116524843A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310522761.2

    申请日:2023-05-10

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 季渊 王欣睿

    Abstract: 本发明涉及一种超像素扫描设备,包括:图像处理模块(3),用于针对输入的视频信号进行预处理和帧数据提取分割,获取子图分割数据;数据处理模块(4),分别与所述图像处理模块(3)和扫描控制模块(8)连接,所述数据处理模块(4)用于针对所述子图分割数据,通过像素划分获取扩展图像信息以及对应的驱动信号;扫描控制模块(8),与所述数据处理模块(4)连接,所述扫描控制模块(8)用于基于所述驱动信号对所述扩展图像信息进行扫描,获取超像素图像可视化信号。与现有技术相比,本发明具有提升显示质量、扫描精度高等优点。

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