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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185074A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110085324.6
申请日：2011-04-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种Ag/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极(PAD）连接n型氮化镓，p型金属电极（PAD）连接Ag/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；Ag/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀或者电子束蒸镀的方法将Ag纳米层蒸镀在p型氮化镓表面，再利用磁控溅射的方法将氧化锌基透明薄膜溅射在Ag纳米层薄膜表面，形成Ag/氧化锌复合透明电流扩展层；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN102169944B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110084321.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型氮化镓，p型金属电极连接Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀的方法将几纳米厚的Ag薄膜蒸镀到p型GaN表面，再用电子束蒸镀的方法将ITO透明薄膜蒸镀在Ag薄膜表面，再利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面，形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/ITO/氧化锌复合透明电极极大地改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN102169943A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110075579.4
申请日：2011-03-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和ITO/氧化锌基复合电流扩展层、n型金属电极(PAD）连接n型氮化镓，p型金属电极（PAD）连接ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓在MOCVD中依次生长完毕；ITO/氧化锌复合电流扩展层是用电子束蒸镀、磁控溅射依次将ITO薄膜、氧化锌薄膜沉积在p型氮化镓表面；用干法刻蚀暴露出n型氮化镓，退火后利用热蒸发生长金属电极。芯片尺寸为1mm×1mm，此种复合透明电极改善了p-GaN与电极层之间的接触，提高了LED芯片的光提取效率，提高了LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN102651432A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210152106.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备的方法。本方法是在蓝宝石衬底上采用传统的金属有机相气相外延法沉积本征GaN层，n型GaN层，多量子阱层以及p型GaN层。但是制备透明电流扩散层GZO薄膜时，采用了具有设备简单，生产成本低的溶胶凝胶提拉法制备，最后通过氩离子干法刻蚀来实现完整的芯片结构。本发明采用一种制备薄膜的绿色合成方法制备薄膜型LED器件，成本低，污染小易于实现。
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公开(公告)号：CN102169944A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110084321.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型氮化镓，p型金属电极连接Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀的方法将几纳米厚的Ag薄膜蒸镀到p型GaN表面，再用电子束蒸镀的方法将ITO透明薄膜蒸镀在Ag薄膜表面，再利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面，形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/ITO/氧化锌复合透明电极极大地改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和可靠性。
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