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公开(公告)号：CN102557476B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210000263.3
申请日：2012-01-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备镓掺杂氧化锌薄膜的方法，属于半导体薄膜与器件领域，首先将锌盐，硝酸镓溶于甲醇中，并逐滴加入稳定剂单乙醇胺，在磁力搅拌的情况下，60℃水浴1小时，并通过将温度升高到70℃进行溶剂蒸发，蒸发至原体积的40%时获得制备镓掺杂氧化锌薄膜的溶胶。通过提拉法制备镓掺杂的氧化锌薄膜。拉膜后将薄膜在红外灯下烘烤30min，之后进行500℃快速退火15min，完成一次拉膜，按此重复n次，使达到一定厚度，最后室温时效2天，真空600℃退火1小时，最后即得到GZO薄膜。本发明采用玻璃做衬底基板。本发明方法设备简单，成本低，污染小易于实现。
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公开(公告)号：CN102659637B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210156590.8
申请日：2012-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: C07C275/64 , C07C273/18
Abstract: 本发明涉及一种合成双羟基脲的新方法，属有机合成领域。双羟基脲是用于乏燃料后处理的，很有应用前景的新型无盐还原剂。其关键是在无水条件下，用固体光气和羟胺合成了双羟基脲。具体是先将羟胺、乙酸钾放入三口烧瓶中，并置于冰盐浴中，搅拌成乳状液。另使固体光气溶于1,4-二氧六环中，并将此混合液置于恒压滴液漏斗中，低于0℃时，控速滴加固体光气混合液至上述乳状液，维持0～5℃。滴加结束，继续反应2小时，再以浓盐酸调溶液的pH=2～3。过滤去固态物，滤液旋蒸去溶剂，得到固体。用适量四氢呋喃萃取固体中的双羟基脲，旋蒸除去溶剂，得粗双羟基脲，用乙醇重结晶，获纯双羟基脲。产物经多种方法检测与表征，产品纯度为95%。得率为57%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102557476A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210000263.3
申请日：2012-01-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备镓掺杂氧化锌薄膜的方法，属于半导体薄膜与器件领域，首先将锌盐，硝酸镓溶于甲醇中，并逐滴加入稳定剂单乙醇胺，在磁力搅拌的情况下，60℃水浴1小时，并通过将温度升高到70℃进行溶剂蒸发，蒸发至原体积的40%时获得制备镓掺杂氧化锌薄膜的溶胶。通过提拉法制备镓掺杂的氧化锌薄膜。拉膜后将薄膜在红外灯下烘烤30min，之后进行500℃快速退火15min，完成一次拉膜，按此重复n次，使达到一定厚度，最后室温时效2天，真空600℃退火1小时，最后即得到GZO薄膜。本发明采用玻璃做衬底基板。本发明方法设备简单，成本低，污染小易于实现。
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公开(公告)号：CN102659637A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210156590.8
申请日：2012-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: C07C275/64 , C07C273/18
Abstract: 本发明涉及一种合成双羟基脲的新方法，属有机合成领域。双羟基脲是用于乏燃料后处理的，很有应用前景的新型无盐还原剂。其关键是在无水条件下，用固体光气和羟胺合成了双羟基脲。具体是先将羟胺、乙酸钾放入三口烧瓶中，并置于冰盐浴中，搅拌成乳状液。另使固体光气溶于1,4-二氧六环中，并将此混合液置于恒压滴液漏斗中，低于0℃时，控速滴加固体光气混合液至上述乳状液，维持0～5℃。滴加结束，继续反应2小时，再以浓盐酸调溶液的pH=2～3。过滤去固态物，滤液旋蒸去溶剂，得到固体。用适量四氢呋喃萃取固体中的双羟基脲，旋蒸除去溶剂，得粗双羟基脲，用乙醇重结晶，获纯双羟基脲。产物经多种方法检测与表征，产品纯度为95%。得率为57%。
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公开(公告)号：CN102651432A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210152106.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备的方法。本方法是在蓝宝石衬底上采用传统的金属有机相气相外延法沉积本征GaN层，n型GaN层，多量子阱层以及p型GaN层。但是制备透明电流扩散层GZO薄膜时，采用了具有设备简单，生产成本低的溶胶凝胶提拉法制备，最后通过氩离子干法刻蚀来实现完整的芯片结构。本发明采用一种制备薄膜的绿色合成方法制备薄膜型LED器件，成本低，污染小易于实现。
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公开(公告)号：CN111682208A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010433881.1
申请日：2020-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/60 , H01M10/0525 , C08G83/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种复合有机框架纳米电极材料及其制备方法，能制备具有配位作用的分子级别杂化的复合有机框架纳米电极材料，本发明制备的复合材料的制备是预先合成基于亚胺的共价有机框架材料，随后在合成金属有机框架材料的过程中添加共价有机框架材料，通过金属有机框架材料的金属中心能够与共价有机框架材料中的氨基官能团配位形成氮锰键，来实现共价有机框架材料的受控生长，从而构建新型复合有机框架纳米电极材料。本发明的复合有机框架纳米电极材料不仅具有可调节花球状微观结构，能够激活复合材料中金属锰中心和共轭苯环中C＝C的储锂性能。同时该复合材料制备工艺反应时间短，对设备要求低，具有良好的前景。
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公开(公告)号：CN103177969A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310058921.9
申请日：2013-02-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在绝缘衬底上生长第一导电层，通过光刻刻蚀获得栅电极；在所述的栅电极上生长绝缘层；随后涂布有源层，通过光刻刻蚀技术获得有源岛。最后，沉积第二导电层，通过光刻刻蚀技术获得源、漏电极。采用光照对溶液法制备的薄膜进行处理，可以明显降低薄膜的热处理温度，可实现低温形成金属氧化物。
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