公开(公告)号：CN117344194A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311282359.8

申请日：2023-09-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  谢捷 ,  潘杰 ,  王梓榭 ,  李钧

IPC: C22C30/02 ,  C22C1/03 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明公开了一种高强奥氏体中熵合金材料及其制备方法，其主要成分按照如下原子百分比(％)组成：C≤0.3，Cr：19.0～23，Ni：28.0～36.0，Cu：1.5‑3.5，Al：2.0～10.0，Ti：1.5～5.5，其中3.5≤Al+Ti≤15.5，其余部分为Fe和不可避免的杂质。随着Al+Ti含量的增加奥氏体中熵合金的强度增加。该成分范围内奥氏体中熵合金，经配料、真空感应熔制，通过多种热处理工艺析出纳米级ε‑Cu相和Ni3(Al,Ti)强化相，大幅度提高奥氏体中熵合金材料综合性能。本发明制得的奥氏体中熵合金材料具有强度高、成本低和易加工成型性优良等优点。

公开(公告)号：CN115466897A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210914358.X

申请日：2022-08-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  汪贝贝 ,  潘杰 ,  梅其良

IPC: C22C30/00 ,  C22C33/04 ,  C22C38/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/14 ,  C22C1/02 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种核屏蔽用奥氏体中熵合金材料，其主要成分按照如下原子百分比(％)组成：Mn：10～50％，Al：0.5～5.0％，B：5.0～12.0％，Ti：2.5～6.0％，其余部分为Fe和不可避免的杂质，其中B含量与Ti含量的原子之比满足B:Ti＝(1.0～3.0):1。随着Mn含量的增加基体全部为奥氏体。这种具有优异热加工性能的核屏蔽奥氏体中熵合金棒材或板材，经配料、真空感应熔制，熔制过程中原位形成微纳米级TiB2颗粒均匀分布于熔体，再经浇注成型、热轧和退火处理等工艺制成。本发明原位内生合成核屏蔽奥氏体中熵合金材料具有强度高、成本低和热加工成型性优良等优点。

公开(公告)号：CN118422030A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410656969.8

申请日：2024-05-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 李钧 ,  刘麒 ,  潘杰 ,  王梓榭 ,  肖学山

IPC: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22C19/05 ,  C22F1/10 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明公开了一种高性能奥氏体高熵合金材料及其制备方法，其成分按照如下原子数百分比组成：Co：30.0～45.0％，Cr：5.0～10.0％，Mo：5.0～10.0％，W：5.0～10.0％，Al：2.0～10.0％，Ti：1.0～5.0％，其中15.0％≤Cr+Mo+W≤30.0％，3.0％≤Al+Ti≤15.0％，其余部分为镍和不可避免的杂质，所述高熵合金材料基体为奥氏体。本发明合金制备方法经配料和真空感应熔制后浇注成型，再经热轧、固溶处理和时效处理等工艺，在奥氏体合金中，析出纳米级B2强化相和纳米级Ni3(Al,Ti)强化相，最终制得一种具有优异综合性能的奥氏体高熵合金材料板材。本发明制得的高熵合金材料具有强度高、热加工成型性优良、综合性能好等优点。

公开(公告)号：CN118186256A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410176522.0

申请日：2024-02-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  王梓榭 ,  潘杰 ,  李钧

IPC: C22C21/00 ,  C22C1/02 ,  G21F1/08 ,  B21C37/02 ,  B21C37/04 ,  C22C21/02 ,  C22C21/06 ,  C22C21/08 ,  C22C21/10 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22C21/16 ,  C22C21/18 ,  C22F1/04 ,  C22F1/043 ,  C22F1/047 ,  C22F1/053 ,  C22F1/057

Abstract: 本发明公开了一种核屏蔽用铝钆合金材料、其制备方法及其应用，铝钆合金材料成分质量百分比组成：Gd：3.0‑15.0％，Cu、Si、Li、Mg、Zn中任意一种元素或任意几种元素，其含量为Cu≤8.0％，Si≤10.0％，Li≤5.0％，Mg≤10.0％，Zn≤10.0％，且Cu+Si+Li+Mg+Zn≤15.0％，其余成分为铝和不可避免的杂质。本发明经配料和空气下电炉保护渣冶炼或真空感应熔炼等特种工艺得到合金熔体；经浇铸成型，再经热锻、热轧、冷轧和退火、时效处理工艺，最终制得核屏蔽用轻质高效铝钆合金棒材或板材。本发明材料密度低，力学性能可调，耐腐蚀和加工成型性优良，能作为轻质高效热中子屏蔽的铝钆合金材料使用，用作反应堆乏燃料的贮运、轻量化移动堆热中子屏蔽制件，材料易加工，适合推广应用。

公开(公告)号：CN116288047A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310109415.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  王春东 ,  潘杰 ,  李钧 ,  梅其良 ,  王梦琪

IPC: C22C38/40 ,  C22C33/04 ,  C21D8/00 ,  C21D1/26

Abstract: 本发明公开了一种具有优异热加工性的核屏蔽用富钆铁镍基合金材料，其主要成分按照如下质量百分比(％)组成：C≤0.03，Cr：15.0～25.0，Gd：0.5～5.0，Ni:20.0～45.0，且满足0.40≤Ni/Fe质量比≤1.8，其余部分为铁和不可避免的杂质。经配料和真空感应熔炼工艺得到合金熔体；经浇铸成型，再经热锻、热轧、冷轧和退火处理等工艺，最终制得一种具有优异热加工性的核屏蔽用富钆铁镍基合金材料棒材或板材或管材。本发明富钆铁镍基合金材料具有强度高、成本低，耐腐蚀和加工成型性优良等优点。

公开(公告)号：CN115011839A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210684117.0

申请日：2022-06-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  李梦丽 ,  张成 ,  潘杰 ,  李聪 ,  梅其良

IPC: C22C14/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/18 ,  C21D1/26 ,  C21D8/02 ,  C21D8/06 ,  C21D9/00 ,  C22C1/02 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种核屏蔽用轻质高效钛钆合金材料，其成分按照如下质量百分比组成：Gd：1.5‑15.0，Al≤15.0，Fe、Cr、Mo、Sn、Zr中任意一种元素或任意几种元素，其含量为Fe≤20.0、Cr≤20.0、Mo≤20、Sn≤10.0、Zr≤10.0，其余成分为钛和不可避免的杂质。本发明还涉及一种核屏蔽用轻质高效钛钆合金材料的制备方法，经配料和真空自耗电弧或真空感应熔炼等特种工艺得到合金熔体；经浇铸成型，再经热锻、热轧、冷轧和退火等处理工艺，最终制得一种核屏蔽用轻质高效钛钆合金棒材或板材。本发明材料密度低，强度高，耐高温，耐腐蚀和加工成型性优良，本发明材料作为轻质高效热中子屏蔽的钛钆合金材料使用，用作反应堆乏燃料的贮运、轻量化移动堆热中子屏蔽制件，材料易加工，适合推广应用。

公开(公告)号：CN110373573A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910742146.6

申请日：2019-08-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  武昭妤 ,  潘杰

IPC: C22C19/05 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料，其主要成分按照如下质量百分比组成：C≤0.1％，N≤0.05％，S≤0.03％，P≤0.03％，W：5.0-35.0％，Cr：5.0～30.0％，Gd：0.5～10.0％，其余部分为镍和不可避免的杂质。本发明还涉及一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料的制备方法，经配料和真空感应熔炼工艺得到合金熔体；经浇铸成型，再经热锻、热轧和退火处理工艺，最终制得一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料棒材或板材。本发明富钆镍钨基合金材料具有强度高、耐腐蚀和加工成型性优良的优点。本发明富钆镍钨基合金材料可以用作反应堆乏燃料的贮运等，材料易加工。

公开(公告)号：CN119121023A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411213694.7

申请日：2024-08-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  刘澳 ,  潘杰 ,  李钧

IPC: C22C28/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明公开了一种耐高温核屏蔽用TaB2强化钇基复合材料、其制备方法及其应用，本发明钇基合金材料具有如下成分质量百分比：Ta：0.5～25.0，B：0.1～3.0，且满足8.0≤Ta/B≤8.5，其余成分为钇和不可避免的杂质。本发明经配料和特种工艺熔制后，浇注成型，经热锻或热压、热轧、冷轧和退火、氢化工艺，最终制得耐高温中子慢化吸收及γ射线屏蔽一体化钇基合金复合材料板材。本发明通过合金化有效地降低了钇基合金的晶粒尺寸，提高了钇基合金的抗氢致开裂能力、热加工性以及中子和γ射线屏蔽能力，有利于实现微小型核反应堆的屏蔽轻量化设计。

公开(公告)号：CN110373573B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201910742146.6

申请日：2019-08-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  武昭妤 ,  潘杰 ,  梅其良

IPC: C22C19/05 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料，其主要成分按照如下质量百分比组成：C≤0.1％，N≤0.05％，S≤0.03％，P≤0.03％，W：5.0‑35.0％，Cr：5.0～30.0％，Gd：0.5～10.0％，其余部分为镍和不可避免的杂质。本发明还涉及一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料的制备方法，经配料和真空感应熔炼工艺得到合金熔体；经浇铸成型，再经热锻、热轧和退火处理工艺，最终制得一种核屏蔽用富钆镍钨基合金材料棒材或板材。本发明富钆镍钨基合金材料具有强度高、耐腐蚀和加工成型性优良的优点。本发明富钆镍钨基合金材料可以用作反应堆乏燃料的贮运等，材料易加工。

公开(公告)号：CN119121022A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411213652.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  刘澳 ,  潘杰 ,  李钧

IPC: C22C28/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/16 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种耐高温核屏蔽用HfB2强化钇基复合材料、其制备方法及其应用，本发明钇基合金材料，具有如下成分质量百分比：Hf：0.5～25.0％，B：0.1～3.0％，且满足8.0≤Hf/B≤8.5，其余成分为钇和不可避免的杂质。本发明经配料和特种工艺熔制后，浇注成型，经热锻或热压、热轧、冷轧和退火、氢化工艺，最终制得耐高温中子慢化吸收及γ射线屏蔽一体化钇基合金复合材料板材。本发明通过合金化有效地降低了钇基合金的晶粒尺寸，提高了钇基合金的抗氢致开裂能力、热加工性以及中子和γ射线屏蔽能力，有利于实现微小型核反应堆的屏蔽轻量化设计。