公开(公告)号：CN118422030A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410656969.8

申请日：2024-05-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 李钧 ,  刘麒 ,  潘杰 ,  王梓榭 ,  肖学山

IPC: C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22C19/05 ,  C22F1/10 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明公开了一种高性能奥氏体高熵合金材料及其制备方法，其成分按照如下原子数百分比组成：Co：30.0～45.0％，Cr：5.0～10.0％，Mo：5.0～10.0％，W：5.0～10.0％，Al：2.0～10.0％，Ti：1.0～5.0％，其中15.0％≤Cr+Mo+W≤30.0％，3.0％≤Al+Ti≤15.0％，其余部分为镍和不可避免的杂质，所述高熵合金材料基体为奥氏体。本发明合金制备方法经配料和真空感应熔制后浇注成型，再经热轧、固溶处理和时效处理等工艺，在奥氏体合金中，析出纳米级B2强化相和纳米级Ni3(Al,Ti)强化相，最终制得一种具有优异综合性能的奥氏体高熵合金材料板材。本发明制得的高熵合金材料具有强度高、热加工成型性优良、综合性能好等优点。