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公开(公告)号：CN106601621B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710019770.4
申请日：2017-01-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/10 , H01L29/786 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中导电孤岛位于漏电极及源电极之间；在漏电极、源电极及导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在刻蚀源漏电极的同时，能在源漏电极沟道间制备得到纳米级的导电孤岛，简化了制备薄膜晶体管的工艺步骤，降低了薄膜晶体管的制备成本，而且大幅度提升了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。
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公开(公告)号：CN109207947B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201811138751.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法，其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品；其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体，将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结，烧结时混合气氛中的氮气和氧气补充了靶材烧结过程中氧化物的氧化还原过程，能够减少靶材的宏观及微观空隙，减少靶材裂纹和缺陷，减少后期磁控溅射时的靶材结瘤现象。本发明制备的ITO靶材相对致密度为99.7％，电阻率为1.38μΩ·cm，使用该靶材进行磁控溅射时贴合率达到99％，连续溅射100h后靶材表面结瘤率不超过10％。
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公开(公告)号：CN109207947A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811138751.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法，其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品；其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体，将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结，烧结时混合气氛中的氮气和氧气补充了靶材烧结过程中氧化物的氧化还原过程，能够减少靶材的宏观及微观空隙，减少靶材裂纹和缺陷，减少后期磁控溅射时的靶材结瘤现象。本发明制备的ITO靶材相对致密度为99.7％，电阻率为1.38μΩ·cm，使用该靶材进行磁控溅射时贴合率达到99％，连续溅射100h后靶材表面结瘤率不超过10％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108022863A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711236439.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。本发明提供的退火系统能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN106601621A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710019770.4
申请日：2017-01-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/10 , H01L29/786 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66969 , B82Y40/00 , H01L29/1033 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中导电孤岛位于漏电极及源电极之间；在漏电极、源电极及导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在刻蚀源漏电极的同时，能在源漏电极沟道间制备得到纳米级的导电孤岛，简化了制备薄膜晶体管的工艺步骤，降低了薄膜晶体管的制备成本，而且大幅度提升了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。
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公开(公告)号：CN108022863B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201711236439.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。本发明提供的退火系统能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。
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