公开(公告)号：CN105428439A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511004294.6

申请日：2015-12-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  杜汇伟 ,  杨洁

IPC: H01L31/0443 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的器件集成方法，采用磁控溅射技术制备TCO导电氧化物薄膜，采用等离子增强化学气相沉积方法制备本征和掺杂氢化非晶硅薄膜，采用化学溶液氧化或快速热氧化生长超薄SiOx薄膜，采用反应离子刻蚀法刻蚀非晶硅薄膜，采用热蒸发方法制备电极，分别制备了一种新型的AZO/SiOx/n-Si结构旁路二极管和HIT高效太阳电池，制成硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的双功能器件的集成系统。本发明方法制备的太阳电池的SIS结构具备开启电压小、反向击穿电压高的优点，可以保护HIT电池片不被热斑效应烧坏，减少了硅基电池热斑效应的风险，保证每个电池的使用安全。

公开(公告)号：CN105428439B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201511004294.6

申请日：2015-12-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  杜汇伟 ,  杨洁

IPC: H01L31/0443 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的器件集成方法，采用磁控溅射技术制备TCO导电氧化物薄膜，采用等离子增强化学气相沉积方法制备本征和掺杂氢化非晶硅薄膜，采用化学溶液氧化或快速热氧化生长超薄SiOx薄膜，采用反应离子刻蚀法刻蚀非晶硅薄膜，采用热蒸发方法制备电极，分别制备了一种新型的AZO/SiOx/n‑Si结构旁路二极管和HIT高效太阳电池，制成硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的双功能器件的集成系统。本发明方法制备的太阳电池的SIS结构具备开启电压小、反向击穿电压高的优点，可以保护HIT电池片不被热斑效应烧坏，减少了硅基电池热斑效应的风险，保证每个电池的使用安全。

公开(公告)号：CN105449041A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511005854.X

申请日：2015-12-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  杜汇伟 ,  杨洁

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硅基异质结SIS结构太阳电池的制备方法，用n-型电导、晶向为（100）、电阻率为1.0~2.0Ω·cm、厚度为130~180μm的硅单晶片为衬底，经化学清洗及制绒后，利用磁控溅射工艺制备ITO薄膜，在磁控溅射过程中，ITO靶材中的O离子在偏压加速下，注入硅表面，产生固相反应，在硅表层纳米尺度范围形成超薄SiOx薄膜，再利用热蒸发和掩膜技术，在ITO薄膜材料上制备Ag/Al栅电极，在硅衬底背面沉积Al电极，得到太阳电池片。本发明结合磁控溅射沉积ITO工艺、离子浅注入混合方法和热蒸发金属电极工艺制备方法，制备了SIS结构太阳电池片，具有较好的稳定性能和较高的光电转换效率。