-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103089B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010827458.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/土元粉基多孔碳复合材料电极、其应用及其制备方法，以土元粉作为前驱物，KOH作为化学活化剂，经过碳化处理和酸刻蚀制备活化的土元粉基多孔碳材料(AEPC)。通过电化学沉积法将具有高活性的氮掺杂石墨烯量子点(N‑GQDs)负载到以三维多孔的AEPC碳基骨架上，制备了N‑GQD/AEPC复合材料。本制备过程简单，制备出的N‑GQD/AEPC复合电极具有高电容性能，本发明方法制备的N‑GQD/AEPC材料在新能源纳米器件技术领域具有广阔的应用前景。所制备的电极电容容量、倍率性能、循环寿命、安全性较好，很好地克服了污染问题，拓展了碳复合电极生物法制备的途径。
-
公开(公告)号：CN111146015B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010030107.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法，以生长在碳布上的二维Co‑MOF作为模板，通过高温热裂解制备出多孔碳纳米片阵列，采用碱催化水相分子融合法制备高浓度氮掺杂石墨烯量子点，通过电沉积将N‑GQDs负载到Co‑MOF衍生的多孔碳纳米片阵列上，构筑氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合电极，形成自支撑结构，主要由碳元素组成，是绿色、无毒且环境友好的电极材料。本粉末方法过程简单，所制备的N‑GQD/CNS/CC复合电极具有高电容性能，本发明方法制备的N‑GQD/CNS/CC电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112103089A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010827458.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/土元粉基多孔碳复合材料电极、其应用及其制备方法，以土元粉作为前驱物，KOH作为化学活化剂，经过碳化处理和酸刻蚀制备活化的土元粉基多孔碳材料(AEPC)。通过电化学沉积法将具有高活性的氮掺杂石墨烯量子点(N‑GQDs)负载到以三维多孔的AEPC碳基骨架上，制备了N‑GQD/AEPC复合材料。本制备过程简单，制备出的N‑GQD/AEPC复合电极具有高电容性能，本发明方法制备的N‑GQD/AEPC材料在新能源纳米器件技术领域具有广阔的应用前景。所制备的电极电容容量、倍率性能、循环寿命、安全性较好，很好地克服了污染问题，拓展了碳复合电极生物法制备的途径。
-
公开(公告)号：CN111146015A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010030107.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法，以生长在碳布上的二维Co-MOF作为模板，通过高温热裂解制备出多孔碳纳米片阵列，采用碱催化水相分子融合法制备高浓度氮掺杂石墨烯量子点，通过电沉积将N-GQDs负载到Co-MOF衍生的多孔碳纳米片阵列上，构筑氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合电极，形成自支撑结构，主要由碳元素组成，是绿色、无毒且环境友好的电极材料。本粉末方法过程简单，所制备的N-GQD/CNS/CC复合电极具有高电容性能，本发明方法制备的N-GQD/CNS/CC电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117766760A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311623670.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/587 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂软碳电极材料及其制备方法和常/低温应用，该材料包括选择性刻蚀表面碳膜的软碳以及负载于软碳上的氮掺杂石墨烯量子点，所述的选择性刻蚀表面碳膜的软碳以3,4,9,10‑苝四羧酸二酐作为前驱物。与现有技术相比，本发明所制备的电极在可逆容量、循环稳定性和相比室温的低温容量保留率方面具有较好表现，能够很好地克服软碳材料表面碳膜包覆的问题，拓展了碳复合材料在钠/钾离子电池负极材料中的室温和低温应用。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.05 seconds)
