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公开(公告)号:CN111146015B
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202010030107.6
申请日:2020-01-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法,以生长在碳布上的二维Co‑MOF作为模板,通过高温热裂解制备出多孔碳纳米片阵列,采用碱催化水相分子融合法制备高浓度氮掺杂石墨烯量子点,通过电沉积将N‑GQDs负载到Co‑MOF衍生的多孔碳纳米片阵列上,构筑氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合电极,形成自支撑结构,主要由碳元素组成,是绿色、无毒且环境友好的电极材料。本粉末方法过程简单,所制备的N‑GQD/CNS/CC复合电极具有高电容性能,本发明方法制备的N‑GQD/CNS/CC电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
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公开(公告)号:CN111146015A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN202010030107.6
申请日:2020-01-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法,以生长在碳布上的二维Co-MOF作为模板,通过高温热裂解制备出多孔碳纳米片阵列,采用碱催化水相分子融合法制备高浓度氮掺杂石墨烯量子点,通过电沉积将N-GQDs负载到Co-MOF衍生的多孔碳纳米片阵列上,构筑氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合电极,形成自支撑结构,主要由碳元素组成,是绿色、无毒且环境友好的电极材料。本粉末方法过程简单,所制备的N-GQD/CNS/CC复合电极具有高电容性能,本发明方法制备的N-GQD/CNS/CC电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
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