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公开(公告)号：CN103332726B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310245669.2
申请日：2013-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种SnO2纳米材料的水热合成方法，属于无机化学和材料合成技术领域。本发明以硫酸亚锡（SnSO4）为锡源，水为溶剂，在小分子碱四丙基氢氧化铵（TPAOH）的助晶化作用下，通过简单的水热过程，制备出具有花状特征的形貌均匀的二氧化锡纳米材料。其中，原料的锡源也可为氯化亚锡（SnCl2）、锡酸钠（Na2SnO3）等，均可得到形貌均一的SnO2纳米材料。本发明方法具有操作简单，条件可控，原料易得，反应过程中未添加有机溶剂，制得材料比表面积大，形貌均一，结晶良好等优点，在锂电池、气敏传感器、光催化及太阳能电池等领域具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN103332726A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310245669.2
申请日：2013-06-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种SnO2纳米材料的水热合成方法，属于无机化学和材料合成技术领域。本发明以硫酸亚锡（SnSO4）为锡源，水为溶剂，在小分子碱四丙基氢氧化铵（TPAOH）的助晶化作用下，通过简单的水热过程，制备出具有花状特征的形貌均匀的二氧化锡纳米材料。其中，原料的锡源也可为氯化亚锡（SnCl2）、锡酸钠（Na2SnO3）等，均可得到形貌均一的SnO2纳米材料。本发明方法具有操作简单，条件可控，原料易得，反应过程中未添加有机溶剂，制得材料比表面积大，形貌均一，结晶良好等优点，在锂电池、气敏传感器、光催化及太阳能电池等领域具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104445215B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410614977.2
申请日：2014-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种中空二氧化硅纳米材料的制备方法。本发明以碳纳米球为硬模板，正硅酸四乙酯（TEOS）为硅源，水作溶剂，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作结构导向剂，通过后续热处理脱除碳球及CTAB等残留有机物，即得形貌均匀、表面褶皱状的中空SiO2纳米材料。从TEM图片可知，本发明制得的SiO2纳米材料，具有中空结构，壁厚约为20 nm，粒径在200 nm左右。该法制备的中空SiO2纳米材料在生物医学等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN104445215A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410614977.2
申请日：2014-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种中空二氧化硅纳米材料的制备方法。本发明以碳纳米球为硬模板，正硅酸四乙酯（TEOS）为硅源，水作溶剂，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作结构导向剂，通过后续热处理脱除碳球及CTAB等残留有机物，即得形貌均匀、表面褶皱状的中空SiO2纳米材料。从TEM图片可知，本发明制得的SiO2纳米材料，具有中空结构，壁厚约为20 nm，粒径在200 nm左右。该法制备的中空SiO2纳米材料在生物医学等领域具有潜在的应用前景。
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