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公开(公告)号：CN101329773B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710171692.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种光刻机抗蚀剂成像仿真三维交互显示方法，本方法首先根据掩模图形进行空间像强度分布计算，得到抗蚀剂成像仿真数据，再对成像仿真数据进行重新排列，通过光照强度与深度转换模型将成像仿真结果变为三维模型点云数据，并通过基于图形处理器的连续层次方法进行硅晶圆表面抗蚀剂地形的细节处理和渲染计算，实现仿真结果的三维(3D)实时绘制和实时交互式漫游。本发明实现集成电路芯片设计中光刻仿真数据在三维空间中的实时可观察性和交互性。
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公开(公告)号：CN101587596A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910053888.4
申请日：2009-06-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶显影过程三维模拟可视化方法，本方法首先根据掩模图形进行空间像强度分布仿真计算结果，得到光刻胶表面曝光强度数据。同时，基于曝光和显影物理模型，模拟光刻胶在显影过程中被刻蚀的程度。为了填补显影模拟过程中光刻胶表面点云移动而形成的空隙，引入网格插值算法，将模拟结果变为致密的三维点云数据；然后，有机组织三维点云数据，构建点云层次树多分辨率渐近式的表示光刻胶几何模型；最后，通过服务器与客户端的方式，从服务器将光刻胶模拟数据传输到客户端进行基于点的渲染计算，实现光刻胶显影模拟结果的三维实时绘制和实时交互式显示。本发明实现集成电路芯片设计中光刻显影模拟过程在三维空间中的实时可观察性和交互性。
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公开(公告)号：CN101329773A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710171692.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种光刻机抗蚀剂成像仿真三维交互显示方法，本方法首先根据掩模图形进行空间像强度分布计算，得到抗蚀剂成像仿真数据，再对成像仿真数据进行重新排列，通过光照强度与深度转换模型将成像仿真结果变为三维模型点云数据，并通过基于图形处理器的连续层次方法进行硅晶圆表面抗蚀剂地形的细节处理和渲染计算，实现仿真结果的三维(3D)实时绘制和实时交互式漫游。本发明实现集成电路芯片设计中光刻仿真数据在三维空间中的实时可观察性和交互性。
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