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公开(公告)号：CN117979814A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410150049.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明公开了一种通过镓离子注入实现超导量子干涉器件制备的方法，主要涉及超导量子器件技术领域；包括步骤：S1、制作具有桥型约瑟夫森结结构的SQUID器件的版图文件；S2、根据SQUID器件的版图文件制备掩模版；S3、在衬底上进行涂胶操作，将预先制作的掩模版置于衬底上；S4、对衬底进行曝光工艺处理；S5、对曝光后的衬底进行显影处理；S6、对显影处理后的衬底进行刻蚀处理；S7、将Ga离子注入刻蚀处理后的衬底中；S8、对步骤S7中得到的器件进行灰化以及清洗，完成超导量子干涉器件的制作；本发明具有制备时间短、制备成本低、制备工艺要求低、制备风险低的优点。
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