公开(公告)号：CN107285385A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710533328.3

申请日：2017-07-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 吴明红 ,  湛晶 ,  潘登余 ,  吴宽 ,  施文彦 ,  徐刚

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  D06M11/53 ,  D06M101/40

CPC classification number: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/40 ,  D06M11/53 ,  D06M2101/40 ,  H01M4/5815 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用，包括以下步骤：将基底进行热处理，得到功能化的基底；将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应，得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明首先对基底进行热处理，提高基底表面润湿性能，然后通过一步溶剂热反应即可在基底表面得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明提供的制备方法步骤简单、成本低、产率高、符合环保要求；且制备的金属性1T二硫化钼纳米片阵列具有优异的储锂性能，在锂离子电池中的具有广阔的应用前景。