公开(公告)号：CN105728683A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610163552.3

申请日：2016-03-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 危志强 ,  朱玉员 ,  梁星 ,  程杰 ,  刘震 ,  全文 ,  仲红刚 ,  徐智帅 ,  翟启杰

IPC: B22D11/22

CPC classification number: B22D11/225

Abstract: 本发明涉及一种模拟连铸坯二冷区凝固组织的方法。该方法的特征在于：模拟连铸坯凝固组织的钢样插在氧化铝刚玉管中，钢样的中部在高频感应线圈加热下熔化，钢样长度为所模拟的连铸坯的厚度；通过热电偶实时测温和改变高频感应线圈功率来调节钢样芯部温度与实际连铸坯一致；通过热电偶实时测温与改变钢样两端的喷嘴的冷却水流量来调节钢样端部温度与实际连铸坯表面一致，从而模拟连铸坯二冷区的凝固组织生长过程。本发明所提供的方法，利用小尺寸钢样再现连铸坯二冷区的凝固过程，可以研究二冷区冷却制度对铸坯凝固组织的影响。钢样形状可以为长方体或圆柱体，长度为所模拟连铸坯的厚度，截面面积范围包括但不限于2 cm2?100cm2。

公开(公告)号：CN103346248A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310258609.4

申请日：2013-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈益钢 ,  朱涛 ,  张斌 ,  陈银儿 ,  刘震

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种全透明导热导电复合基板的制备工艺，属于薄膜制备技术领域。所述的制备方法是：以透明玻璃作为衬底，先通过反应磁控溅射的方法沉积氮化铝薄膜（AlN），接着通过射频磁控溅射的方法在氮化铝薄膜上沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），最后通过光刻和刻蚀工艺对TCO薄膜进行图形化加工。所制备的复合基板制造成本低、工艺简单、不污染环境、无毒，且基板具有高热导率、高光学透过率、厚度均匀、高导电性等特点。

公开(公告)号：CN105728683B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201610163552.3

申请日：2016-03-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 危志强 ,  朱玉员 ,  梁星 ,  程杰 ,  刘震 ,  全文 ,  仲红刚 ,  徐智帅 ,  翟启杰

IPC: B22D11/22

Abstract: 本发明涉及一种模拟连铸坯二冷区凝固组织的方法。该方法的特征在于：模拟连铸坯凝固组织的钢样插在氧化铝刚玉管中，钢样的中部在高频感应线圈加热下熔化，钢样长度为所模拟的连铸坯的厚度；通过热电偶实时测温和改变高频感应线圈功率来调节钢样芯部温度与实际连铸坯一致；通过热电偶实时测温与改变钢样两端的喷嘴的冷却水流量来调节钢样端部温度与实际连铸坯表面一致，从而模拟连铸坯二冷区的凝固组织生长过程。本发明所提供的方法，利用小尺寸钢样再现连铸坯二冷区的凝固过程，可以研究二冷区冷却制度对铸坯凝固组织的影响。钢样形状可以为长方体或圆柱体，长度为所模拟连铸坯的厚度，截面面积范围包括但不限于2 cm2‑100cm2。

公开(公告)号：CN103334080A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310223738.X

申请日：2013-06-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈益钢 ,  刘震 ,  张斌 ,  朱涛 ,  陈银儿

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种AlN膜表面的金属化层制备方法，适用于微电子工业中电路基板和封装领域。按照以下工艺步骤进行：在真空环境和一定的生长温度条件下，首先在基板表面用磁控溅射法生长所需厚度的AlN膜，然后在AlN膜表面溅射生长TiN1-x、AlN1-x或CrN1-x（x=0-1）梯度膜（x由0逐渐过渡到1，即由富氮相逐步过渡到纯金属相），最后在适当的温度下溅射生长纯Cu膜。另外，可以根据Cu膜使用厚度的需要用电镀法镀Cu，使Cu膜增厚以及在前述每一步膜生长过程后进行适当的退火处理以提高膜层之间的结合力。使用该方法获得的薄膜具有纯度高、粘附力强的优点，保证了封装过程中的焊接强度和可靠性。