公开(公告)号：CN104118899A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410312446.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  王剑 ,  刘延雨 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: C01G9/02 ,  C01G19/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及采用超临界流体干燥法制备ZnO/SnO2复合材料的方法，属于无机氧化物纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：本发明采用超临界流体干燥法制备ZnO/SnO2复合材料，其中Zn：Sn摩尔比为2比1为例；在50ml0.1mol/L的SnCl4·5H2O水溶液中加入50ml0.2mol/L的Zn(NO3)2·6H2O溶液，混合均匀充分搅拌，以50%氨水作沉淀剂，调节pH=9，得到水凝胶加入10%十六烷基三甲基溴化铵，老化10小时后，离心分离，用去离子水和丙酮洗涤，将所得醇凝胶放入高压釜内，以无水乙醇作抽提溶剂，在乙醇超临界状态即262℃，8.5MPa下制得ZnO/SnO2气凝胶粉体，再于不同温度下：500°C、600°C和700°C，焙烧1小时，即得到不同形貌的纳米ZnO/SnO2复合材料。本发明方法在纳米粉体催化剂制备领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN103147046A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310073482.9

申请日：2013-03-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  王利军 ,  刘延雨 ,  陈琛 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种激光技术制备二氧化锡半导体薄膜及其微结构缺陷湮灭的实验工艺，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。二氧化锡是近年来引起广泛关注的一种n-型半导体功能材料，在微电子工业、光电子器件以及太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。利用脉冲激光沉积方法，控制一定工艺参数，在室温下，将薄膜沉积在玻璃衬底上，制备出了二氧化锡半导体薄膜；该薄膜存在着若干微结构缺陷，使其应用受到限制，然而，采用在高分辨电子显微镜，将上述具有微结构缺陷的薄膜进行300℃原位退火2小时，简单地成功实施了二氧化锡半导体薄膜的微结构缺陷的湮灭技术，实现了薄膜微结构无缺陷的工艺，本方法在薄膜制备领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN102677163A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210154266.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  李全宝 ,  陈琛 ,  刘延雨 ,  王利军 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/08 ,  C30B33/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/Ge双层膜。将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300℃~500℃时退火60分钟，其中最佳温度为400℃，能成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数和退火条件，采用Al诱导成核的方法在Al/Ge双层膜中成功制备出Ge分形团簇纳米薄膜。本发明产品在半导体工业，如：微电子器件和光电子元件等领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN103736526A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310549901.1

申请日：2013-11-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  刘延雨 ,  王利军 ,  侯凌癸 ,  汪文峰 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: B01J35/10 ,  B01J23/889 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种温和可控的Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料的制备方法，属于过渡金属氧化物功能材料领域。本发明的主要内容是：KMnO4液滴穿过CH2Cl2层进入MnSO4溶液，在H2O/CH2Cl2界面上发生理化反应，反应后，将混合物经过液液分离，过滤、洗涤、干燥，得到中空的MnO2纳米刺球，然后用溶液浸渍法对其进行Fe负载：按照一定的质量百分比和固液质量比，配制Fe(NO3)3溶液，然后将MnO2加入到Fe(NO3)3溶液中超声振荡，后蒸干水分，将得到的样品放入马弗炉煅烧后，得到Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料。本发明在过渡金属氧化物功能材料领域尤其是环境催化领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN102766847A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210248019.9

申请日：2012-07-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  刘延雨 ,  王利军 ,  陈琛 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种操作与制备技术简单，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜的制备方法，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge与Pd分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上，在室温下当真空度小于2.67×10-3Pa时，先蒸发半导体Ge，然后，蒸发金属Pd。衬底为单晶氯化钠（100）晶面。上己制备复合纳米薄膜置于真空炉中，真空度与上相似时，于200℃，300℃，350℃，400℃分别真空退火30分钟，可获分形维数依次为1.862，1.778，1.708，1.652的分形团簇此纳米薄膜。本发明通过控制真空热蒸发技术参数，得到不同形态的，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜。其操作简便、制备技术简单、重复性较好。本发明产品在半导体工业领域具有潜在的应用价值。