公开(公告)号：CN116075126A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211732021.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 上海卫星装备研究所

Inventor： 杨碧琦 ,  路同山 ,  张丽新 ,  刘刚 ,  陈浩然 ,  李辉

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明提供了一种适应高功率组件的航天器一体化控温板及其制造方法，包括沿上下分布的第一薄壁腔体和第二薄壁腔体，第一薄壁腔体为气液相变腔室，第二薄壁腔体为固液相变腔室；气液相变腔室的内壁上设置有高度呈梯度分布的毛细抽吸结构阵列，气液相变腔室的上下壁间设置有高渗流微槽承力柱阵列；固液相变腔室的上下壁间相贯穿设有导热增强骨架阵列，导热增强骨架阵列单元为变厚度Scherk’s曲面胞元构型；气液相变腔室和固液相变腔室的侧壁上均设置有工质充装管。本发明跨代式提升了高热流密度面阵列分布式器件的控温效果和器件间的均温效果，具有极限热流密度高、控温精度高、无多点焊接带来的漏液风险、高可靠性等优点。

公开(公告)号：CN112071359B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202010881163.0

申请日：2020-08-27

Applicant: 南京航天航空大学 ,  上海卫星装备研究所

Inventor： 路同山 ,  苏京 ,  徐骏 ,  周博 ,  曹康丽 ,  李瑜婧 ,  潘阳阳 ,  高冬冬 ,  费涛 ,  刘刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中；所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。

公开(公告)号：CN116247412A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211729778.7

申请日：2022-12-30

Applicant: 上海卫星装备研究所

Inventor： 杨碧琦 ,  路同山 ,  刘刚 ,  陈浩然 ,  李瑜婧

IPC: H01Q1/12 ,  F28D15/02 ,  F28D15/04 ,  B23K26/70 ,  B22F10/28 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y80/00 ,  H01Q1/28 ,  H01Q23/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种适应非均布热流器件的航天器一体化有源板及其制造方法，包括有源安装板，其包括薄壁腔体、安装孔埋件、热管、工质充装孔及空间三维晶体网络夹心结构；安装孔埋件、热管及空间三维晶体网络夹心结构设置在薄壁腔体上下壁面之间；安装孔埋件用于安装电子设备；空间三维晶格网络夹芯结构的阵列胞元为Scherk’s曲面胞元构型；工质充装孔设置在薄壁腔体的侧壁；薄壁腔体、安装孔埋件、热管及空间三维晶体网络夹心结构一体化制造成型。本发明解决原有SAR天线有源安装板百余组件胶接模式带来的界面热阻大、多点漏液、局部高热流区域控温及均温效果差等难题，满足SAR天线间歇性工作的面阵列均布式TR组件的高效均温控温需求。

公开(公告)号：CN116222276A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211732001.6

申请日：2022-12-30

Applicant: 上海卫星装备研究所

Inventor： 杨碧琦 ,  路同山 ,  刘刚 ,  陈浩然 ,  李辉

IPC: F28D15/04 ,  F28F13/18 ,  B22F10/28 ,  B22F10/66 ,  B22F5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明提供了一种航天器一体化可展开辐射散热器及其宏‑微复合制造方法，包括：散热器壳体，所述散热器壳体包括上壁板和下壁板；在所述上壁板和所述下壁板间设置有多个间隔排列的气液相变腔室，所述气液相变腔室内设置有毛细抽吸结构阵列和高渗流微槽承力柱阵列；所述散热器壳体内还设置有高承载比点阵，所述上壁板的外侧面设置有流体回路管路，所述下壁板的外侧面设置有高辐射微结构阵列，所述散热器壳体的侧壁上设置有多个与所述气液相变腔室连通的工质充装孔。本发明具有三维扩热‑均热、高发射率、无界面热阻、温度均匀性好、轻量化高可靠性等优势，适应新一代航天器对可展开热辐射器高辐射散热能力的需求。

公开(公告)号：CN112071358B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202010881162.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 南京航天航空大学 ,  上海卫星装备研究所

Inventor： 路同山 ,  苏京 ,  李秀伟 ,  徐骏 ,  周博 ,  曹康丽 ,  潘阳阳 ,  高冬冬 ,  费涛 ,  刘刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。

公开(公告)号：CN112071357B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202010879924.9

申请日：2020-08-27

Applicant: 南京航天航空大学 ,  上海卫星装备研究所

Inventor： 路同山 ,  苏京 ,  徐骏 ,  曹康丽 ,  周博 ,  李瑜婧 ,  费涛 ,  高冬冬 ,  潘阳阳 ,  刘刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括：PC机、上位机、下位机、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述电磁屏蔽单元包括：金属板、法拉第笼；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于模拟源环境中；所述PC机、上位机、电源系统安装于电磁屏蔽单元中。本发明首次提出SRAM存储器充放电效应测试方法，利用本发明所述的测试方法能够实现对SRAM存储器由充放电效应产生的故障进行测试。