公开(公告)号：CN107910036A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711072315.7

申请日：2017-11-04

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 ,  北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 邓俊萍 ,  颜河 ,  张楠

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种用于测试个性化MCU个性化存储区的测试方法。该方法通过读取Trim寄存器中的trim值，并把该值复写回个性化存储区的方式来实现。在完成个性化存储区的功能测试之后，由于功能测试包含擦写操作，此时个性化存储区内容已被破坏。在保证不下电的情况下，可通过读取trim寄存器中存储的trim值，并把trim值复写回个性化存储区来保证trim值的完整性。通过采用该方法既可保证个性化存储区的测试覆盖率，又保证trim数据不丢失。

公开(公告)号：CN104635138B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310561690.3

申请日：2013-11-12

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司

Inventor： 邓俊萍

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种带存储单元的集成芯片的复测方法，包括如下步骤：步骤一，通过读取CP1通过标记，判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试；若通过则测试继续进行，若失效则测试结束，返回失效结果；步骤二，通过读取CP2通过标记，判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试；若通过则测试结束，返回通过结果；若失效则测试继续进行；步骤三，通过读CP2第一数据保存标记，判断是否需要进行数据保存功能测试；若需要则测试继续进行，若不需要则测试结束，返回失效结果；步骤四，通过写及读CP2第二数据保存标记，验证CP2第二数据保存标记，以便复测时判断数据保存功能是否失效。本发明能够保证测试结果的准确性并节省复测时间。

公开(公告)号：CN106443415A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610971236.9

申请日：2016-11-03

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司

Inventor： 邓俊萍

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2851

Abstract: 本发明公开了一种带存储单元的集成芯片复测方法，在每个关键节点对存储单元写入标志位来标记该节点测试项的通过或失效；读取每个关键节点的标志位决定是否进行该节点测项测试及之后测试内容。本发明能够最大限度保证测试结果的准确性及减少复测时间。

公开(公告)号：CN104635138A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310561690.3

申请日：2013-11-12

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司

Inventor： 邓俊萍

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种带存储单元的集成芯片的复测方法，包括如下步骤：步骤一，通过读取CP1通过标记，判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试；若通过则测试继续进行，若失效则测试结束，返回失效结果；步骤二，通过读取CP2通过标记，判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试；若通过则测试结束，返回通过结果；若失效则测试继续进行；步骤三，通过读CP2第一数据保存标记，判断是否需要进行数据保存功能测试；若需要则测试继续进行，若不需要则测试结束，返回失效结果；步骤四，通过写及读CP2第二数据保存标记，验证CP2第二数据保存标记，以便复测时判断数据保存功能是否失效。本发明能够保证测试结果的准确性并节省复测时间。