公开(公告)号：CN113410291A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110672190.1

申请日：2021-06-17

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 惠亚妮 ,  李秀然 ,  薛华瑞

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供一具有外延层的衬底，外延层中形成有若干沟槽，沟槽的侧壁与衬底的表面的角度为87°～93°；执行湿氧氧化工艺形成至少部分第一介质层，覆盖沟槽的内壁；于沟槽中形成屏蔽栅；形成第二介质层及第一栅氧层；形成第二栅氧层，第二栅氧层覆盖第一栅氧层的内壁，且其底部拐角的形状为圆弧形；以及，于沟槽中形成栅极。利用湿氧氧化工艺形成第一介质层，解决了垂直沟槽难以填充的问题，并利用垂直沟槽改善电场分布，提高击穿电压，利用第二栅氧层覆盖第一栅氧层的底部拐角，增大该处的栅氧厚度，改善栅源间漏电，减少损耗，并降低外延层的体电阻及降低其厚度，以降低导通电阻。

公开(公告)号：CN113410291B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202110672190.1

申请日：2021-06-17

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 惠亚妮 ,  李秀然 ,  薛华瑞

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供一具有外延层的衬底，外延层中形成有若干沟槽，沟槽的侧壁与衬底的表面的角度为87°～93°；执行湿氧氧化工艺形成至少部分第一介质层，覆盖沟槽的内壁；于沟槽中形成屏蔽栅；形成第二介质层及第一栅氧层；形成第二栅氧层，第二栅氧层覆盖第一栅氧层的内壁，且其底部拐角的形状为圆弧形；以及，于沟槽中形成栅极。利用湿氧氧化工艺形成第一介质层，解决了垂直沟槽难以填充的问题，并利用垂直沟槽改善电场分布，提高击穿电压，利用第二栅氧层覆盖第一栅氧层的底部拐角，增大该处的栅氧厚度，改善栅源间漏电，减少损耗，并降低外延层的体电阻及降低其厚度，以降低导通电阻。