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公开(公告)号：CN103871899B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410060243.4
申请日：2014-02-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种FINFET结构的制备方法，包括：研磨掉氮化硅2上的氧化硅1；通过低选择比研磨液继续研磨一定量的氧化硅1和氮化硅2，以减薄氮化硅2的厚度；湿法刻蚀去除氮化硅；湿法刻蚀去除部分氧化硅1，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用两次CMP制程，减薄氮化硅的厚度，增加氮化硅的宽度，即增加氮化硅与药剂的接触面积，有利于湿法对氮化硅的去除，最终达到氮化硅的完全去除，避免了氮化硅去除不完全的后果。
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公开(公告)号：CN103753379A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310600928.9
申请日：2013-11-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/32
CPC classification number: B24B37/005
Abstract: 本发明提出研磨速率侦察装置、研磨设备及实时侦察研磨速率的方法，通过侦察带动研磨垫整理盘的马达的电压值来实时监控研磨速率，这样可以保证在研磨的过程中研磨速率在设定的范围之内，提高化学机械研磨的稳定性，从而提高研磨的效率并降低晶圆的成本。
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公开(公告)号：CN104493683B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410710267.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013
Abstract: 一种使用一种测定薄膜研磨速率的方法，包含以下步骤：提供一表面覆盖有预定厚度值的测试薄膜和底部薄膜的半导体衬底，且所述测试薄膜覆盖所述底部薄膜的上表面；利用扭矩研磨终点检测工艺获取研磨机台将所述测试薄膜研磨至所述底部薄膜的上表面的时间值；根据所述厚度值和所述时间值获取所述研磨机台研磨所述测试薄膜的研磨速率；其中，所述测试薄膜与所述底部薄膜在使用本发明所述的方法，简化了检测流程，避免了复杂流程各环节可能出现的不稳定造成的研磨速率测定偏差，提高了检测速度和检测稳定性。
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公开(公告)号：CN104493683A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410710267.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/006
Abstract: 一种使用一种测定薄膜研磨速率的方法，包含以下步骤：提供一表面覆盖有预定厚度值的测试薄膜和底部薄膜的半导体衬底，且所述测试薄膜覆盖所述底部薄膜的上表面；利用扭矩研磨终点检测工艺获取研磨机台将所述测试薄膜研磨至所述底部薄膜的上表面的时间值；根据所述厚度值和所述时间值获取所述研磨机台研磨所述测试薄膜的研磨速率；其中，所述测试薄膜与所述底部薄膜在使用本发明所述的方法，简化了检测流程，避免了复杂流程各环节可能出现的不稳定造成的研磨速率测定偏差，提高了检测速度和检测稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103871899A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410060243.4
申请日：2014-02-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/306
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/31056 , H01L21/31111
Abstract: 本发明提供一种FINFET结构的制备方法，包括：研磨掉氮化硅2上的氧化硅1；通过低选择比研磨液继续研磨一定量的氧化硅1和氮化硅2，以减薄氮化硅2的厚度；湿法刻蚀去除氮化硅；湿法刻蚀去除部分氧化硅1，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用两次CMP制程，减薄氮化硅的厚度，增加氮化硅的宽度，即增加氮化硅与药剂的接触面积，有利于湿法对氮化硅的去除，最终达到氮化硅的完全去除，避免了氮化硅去除不完全的后果。
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公开(公告)号：CN103639886A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310630238.8
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B37/34 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种用于W-CMP的化学机械研磨装置及研磨方法，其包括研磨平台、设置于研磨平台上的研磨垫、用于承载芯片并可相对于研磨垫运动的研磨头，其中，该研磨平台内还设有加热装置，以对研磨平台表面的研磨垫进行加热。本发明可以使钨的研磨过程保持在其最佳温度下进行，提高了研磨效率，并可降低芯片的成本。本发明可适用于半导体制造技术中钨研磨工艺的各种机台。
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公开(公告)号：CN104241095A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410374751.X
申请日：2014-07-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67023 , B05B1/3026 , B05B9/01
Abstract: 本发明涉及半导体湿法清洗领域，具体涉及一种清洗水枪，通过拆除现有技术水枪原直线形喷头，接口按处原水枪螺纹进行设计，喷嘴中端在原有基础上进行加长设计，减少水枪在狭小空间接触研磨盘和研磨垫的可能性，喷头采用多孔式花洒装置，并且在靠近喷头位置处按一定角度向内曲折，方便水流快速，均匀，小冲击力的冲洗晶圆表面，同时本发明所提供的水枪还可简单的调整水流速度和喷洒面积，结构简单，操作方便，成本也较低，适合大范围推广使用。
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公开(公告)号：CN103871897A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410059974.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/31053 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法，包括：研磨掉氮化硅上的氧化物；研磨氧化物和氮化硅，并收集电机的扭矩电流信号；当扭矩电流信号突变时，抓取研磨终点，停止在缓冲垫氧化层上；予以一定量的过研磨时间，完成研磨，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用化学机械研磨可以完全去除氮化硅，并停止在缓冲垫氧化层上，达到无需湿法对氮化硅的去除，无需湿法/干法刻蚀对氧化物的去除的效果。
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公开(公告)号：CN105619239A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610107799.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种防刮伤化学机械研磨装置，包括：晶圆载入装置，用以将晶圆载入；晶圆承载器，吸附晶圆，并通过转轴将晶圆从载入位依次转移至第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台；研磨液供应管，向第一研磨平台、第二研磨平台和后处理平台输送研磨液；移动轨道，分别设置在载入位、第一研磨平台、第二研磨平台以及后处理平台外围；去离子水管路，设置在移动轨道内，并在出水端设置喷头。本发明使得在研磨工艺过程中，喷头持续对研磨台罩和晶圆承载器喷洒去离子水，不仅进行有效的清洗和保湿，而且避免飞溅的研磨液结晶，减少因结晶小颗粒物导致刮伤造成废片的可能，提高了产品良率。
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